尼曼半导体物理与器件第八章剖析.pptVIP

第八章 pn结二极管 * 当空间电荷区中电子-空穴对产生之后，立即被耗尽区中电场拉向两侧，形成pn结中的反偏产生电流，这个反偏产生电流与理想反偏饱和电流将构成pn结总的反向饱和电流。 根据前面的复合率公式，计算反偏产生电流的密度。 假设Et=EFi，则n′=p′=ni，因此 由式（6.103）、（6.104）中寿命的定义，则 第八章 pn结二极管 * 定义载流子的平均寿命：τ0=(τp0+τn0)/2，则 负复合率即产生率，因此G为空间电荷区内电子与空穴的产生率。由下式可确定产生电流的密度： 假设空间电荷区内的产生电流为恒定值，则 总反偏电流密度为理想反向饱和电流密度与反向产生电流密度的和，即 JS与反偏电压VR无关，但Jgen则是耗尽区宽度W的函数，而W又是VR的函数。因此，实际的反偏电流密度与VR有关。 第八章 pn结二极管 * 反偏pn结耗尽区中，电子和空穴的浓度基本为零，而正偏pn结中，电子和空穴要通过空间电荷区实现少子注入，因此在空间电荷区中会存在一定的过剩电子和过剩空穴，这些过剩电子和过剩空穴之间就会发生复合，形成耗尽区复合电流。 正偏复合电流 利用平均寿命公式，复合率公式改写为 右图为正偏pn结的能带图，图中给出了本征费米能级以及电子和空穴的准费米能级位置。 第八章 pn结二极管 * 按照第6章中有关准费米能级的定义，有： 其中，EFn和EFp分