光电成像-_第一章___演示文稿概览.ppt

* * * * * 在X≤X0范围，表面势垒为 在X≥X0范围， X(x)随x上升， 直到Wa. 图1-38 表面势垒 * 令:Φm＝电子克服表面势垒逸入真空所需要的最小能量，在0K下，金属中一个电子所具有的最大能量为 (2) 电子的逸出功Φm Φm越低，电子的发射能力越强。 (3) 单位时间内，单位面积上发射的电子数 由 (1-79)式可知，单位时间单位面积上到达发射面的电子数为： (1-80) * 只有当电子能量 的电子才能从表面逸出，即 所以，单位时间内，单位面积上发射的电子数为： * 因为，只考虑 的电子，于是有 (1-81) 变量代换求积分： (1-82) * 再求积分： (1-83) 将(1-82)式和(1-83)式代入(1-81)式 (1-84) * （4）Richardson-Dushman’s(理查生－德西曼)公式 金属中发射的电流密度为： (1-85) 因为： 一般：AA0,， Richardson-Dushman’s公式写为 (1-89) * (5) 理查生－德西曼公式的适用条件 推导李查生公式时，曾经假设，除了表面势垒外，对到达发射表面的电子不施加任何外力。 因此： 公式的适用条件是“零场”状态，描述的电流密度为“零场发射电流密度”。 (6) 如何从金属获得大的发射电流 表1-7给出了部分金属的参数(略）。 * 例：W的Φm＝4.54eV,室温下的发射电流密度为 2500K下的发射电流密度为 * 1.6.2 半导体的热电子发射 在半导体中，施加于电子的力不同于金属。 金属中，价电子处于势阱的平坦底部，无外力施加于电子，价电子束缚于金属中，可在金属中自由运动，对这些价电子施加的力叫做表面势垒。 半导体中，电子受到晶格周期性势场的支配，用有效质量m*代替电子的惯性质量m，电子可认为具有质量m*的自由电子，这样，可以在金属与半导体之间进行类比。 * 在单位时间内、单位面积上，从金属中发射的电子数为： 类似地：对于半导体 (1-90) 式中，g 为权重因子。 对于s 电子，g=2；对于 p 电子， g=6 * 1. n型半导体的热电子发射 n型半导体中，已知 当np时， 在弱电离条件下： * 因为： (1-91) (1-92) 同时有： 结合式(1-91)和(1-92)，得 (1-93) * 代入式(1-90)，得 (1-94) * 因为： 所以： (1-95) 热发射电流密度为： (1-96) * 或： (1-97) * 2. P 型半导体的热电子发射 已知 当pn时， 弱电离下： 同时： (1-98) (1-99) 因此： (1-100) * 将式(1-100)代入式(1-90)，得 (1-101) * 因此 (1-102) 因为： (1-103) * 3. n型与p型的热电子发射比较 (1)j0的比较 n 型半导体，施主浓度 ND 越高，EF 就愈靠近导带，逸出功愈低 p型半导体，NA 越高，EF 越靠近价带，逸出功愈高 * 对于光电阴极，总是希望热发射电流（暗电流）尽可能小， 因此，希望光电阴极是具有重掺杂的p型半导体。 * (2) 用相同材料制成的n型和p型半导体 其因子 （约大几个数量级） 只差一个数量级 因此 结论：从降低暗电流的观点，希望光电阴极是一个重掺杂的p型半导体。 * 1.6.3 热发射电子的初速分布和由发射电子引起的阴极冷却效应 从阴极发射的电子具有一定的初速，且不同的电子初速度也不同，热电子的初速度分布对于电子上靶和靶的平衡电位是十分重要的。 * 1. 热发射电子的初速分布 固体中具有高于能量Wa的自由电子服从boltzman’s分布，单位体积，单位时间内动量在 的电子数 到达发射表面且动量在 的电子数为： (1-104) * 这些电子都具有大于Wa 的能量，近似认为电子穿过表面势垒的透射系数为1，由公式(1-104)描述的电子全部能发射逸出，其动量Px变为Px，其关系为 且 所以 * 发射电子中，占据 和 为任意的电子数 (1-106) 上式描述了热发射电子的绝对初速度分布 为了计算总的发射电子中具有初速度 电子数的百分比， 写出下式： * (1-107) 该分布属于maxwell分布 * 2、 由于发射电子而引起阴极冷却效应 由一个电子在x方向所带走的动能为： 图1-40 热电子的速度分布 * 变量代换，解得 (1-108) 因为， 所以， * 热发射电子从y方向带走的平均动能为： * * 类似地 因此，由一个热电子带走的总动能为 (