光电成像技术Chapter7-电视型电真空成像器件成像物理概览.pptVIP

* 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 综合以上各种因素的考虑，在理论分析过程中常定义如下两个优值： 式中，cp是材料的体积比热容，ε是材料的介电常数；Qv是热电晶体电压响应率优值或第一优值；QI是热电晶体电流响应率优值或第二优值。根据不同的实际需要选择两个优值。表7-2各种材料的性能参数及优值。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 目前常用的热释电摄像管靶的主要材料： ①硫酸三甘肽TGS。特点是探测率高，热电系数大，η小，容易在水溶液中生长成大块晶体，且容易加工；但居里温度低，加入少量α-丙氨酸可改善。 ②钽酸锂。特点是居里温度高，不易退极化，且在低温和高温下有较好性能，化学稳定性好、机械强度高，工艺性较好，介质损耗低。 ③铌酸锶钡SBN。分子式是Sr1-xBaxNb2O6， η和ε都随x的增加而减小，居里温度随x增加而增加。在室温下， η很大但在x较小时不够稳定，且容易退极化；当x=0.52时性能较好且较稳定，同时具有抗声、抗压、抗振的优点。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 2. 热释电摄像管 热释电摄像管与普通光电导摄像管的异同： 相同点：结构上类似，以热释电靶代替光电导靶。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 相同点：结构上类似，以热释电靶代替光电导靶。 不同点(热释电摄像管必须解决的问题)：①热释电摄像管利用热释电效应工作，并且热释电效应仅仅响应随时间变化的热辐射，必须对入射辐射进行调制，实现交变的入射辐射；②热释电靶是良好的绝缘体，容易积累电荷而使电子束不能连续工作，必须设法消除靶面的负电荷积累。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 二、热释电靶电荷图像的形成与读出 1. 热释电靶的单畴化 热释电摄像管工作时，靶必须处于自发电极化状态：电极化的极轴方向应垂直于靶面。 通常在制靶以及靶产生退极化时，都要进行单畴化，使之形成最大的自发电极化强度。 热释电摄像管进行单畴化处理的工作过程如图7-36所示，分为四个步骤：(略)。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 2. 靶面电荷图像的形成 热释电摄像管工作的必备条件是：靶面具有电荷图像，通过电子枪的扫描使电荷图像形成视频信号输出，并且靶面的信号电荷必须是正电荷。 但是，热释电靶是良好的绝缘体，热释电效应产生的信号电荷是静电束缚电荷，因此扫描电子束着靶后不能在帧周期内导走。 形成电荷图像的做法： 在每次电子束扫描结束后为靶面提供定量的正电荷(基底电荷)，并且该正电荷密度要大于最大的信号电荷密度，用来消除扫描电子束着靶的负电荷以及保持靶面的信号电荷总是正电荷。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 温度变化与靶面电位变化之间转换的定量描述： 热释电摄像管工作时靶面接收交变的入射辐射，该信号使靶面的温度产生相应的变化。由于热释电靶的自发极化强度Ps，随靶温的变化产生相应的改变，使得靶面上对应的束缚面电荷发生改变，并且自发极化强度变化量ΔP等于靶面束缚面电荷密度的变化量Δσ。 Δσ的改变在热释电靶上将产生电位变化ΔV： 热电系数η为常数时 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 3. 热释电靶电荷图像的读出 热释电摄像管的读出电荷图像形成视频信号，其原理同普通光电导摄像管。不同的是：热释电靶的电子束扫描面上产生的电荷可正（升温）可负（降温） ，而扫描电子束中只有带负电荷的电子，不能对降温时产生的负电荷图像读出形成视频信号。 解决办法： ①在电荷图像形成之前使靶面电位稳定在高电位上，在积累电荷时便不至于形成负靶面电位;②对靶面提供基底正电荷，然后通过隔直电路加以滤除。 对应的两种电荷图像读出方法：P287-289。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 三、热释电摄像管工作的特点 ①热释电接收恒定的辐射图像后产生的电荷图像是静电束缚电荷图像，该静电面电荷是由于靶面温度变化产生的，电子束扫描后恒定信号产生的电荷图像将不复存在；（与光电导摄像管的区别） ②热释电摄像管必须接收交变的入射辐射信号才能形成连续的视频信号输出，因此，必须采取人工的方法将恒定的入射辐射转换成相应变化的入射辐射。 热释电摄像管通常采用的入射辐射方式有：平移式、摄全景式和斩光式三种。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 平移式：摄像机构对景物作平行移动。 摄全景式：摄像机