超高真空技术.ppt

电子束流寿命 1. 量子涨落——与真空室尺寸有关 2. 托歇克效应 3. 电子与气体分子的散射 (1). 轫致辐射——与残余气体有关 (2). 库仑散射——与残余气体及真空室尺寸有关 (3). 电子－电子弹性散射——与残余气体有关 4. 离子俘获——与残余气体有关 5. 尘埃效应——与真空室内尘埃粒子有关 6. 尾场效应——与真空室结构有关 电子储存环要求 ≤ 1×10-7 Pa 的清洁超高真空环境 光激发解吸 同步辐射光在照射到表面，通过光电效应从器壁材料中激发光电子发射； 光电子以一定的能量轰击器壁表面，引起表面吸附气体成份的解吸； 光电解吸系数?被定义为每个入射光子通过光电解吸作用激发出的气体分子数,与表面材料与结构、同步辐射入射角、束流清洗作用有关； 经100A·h后，?＝1~2×10-6 mol/ph 气载量 Qp ~ 10-3 Pa·L/s (D=100A·h) ~ 3×QT Qp＝ 静态压强: 5×10-8 Pa 动态压强: 1×10-7 Pa 无污染 真空室截面尺寸: ～70mm(H)×35mm(V) 主要负载: 430kW 热负载; 气载. 每单元总抽速 : 2×104 L/s. SIP+NEG 700