集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化项目-报告文字.docVIP

集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化项目 岩 土 工 程 勘 察 报 告 书 勘察阶段： 详细勘察 工程编号： 2015-S-02 信息产业部电子综合勘察研究院 二○一五年五月集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化项目 岩 土 工 程 勘 察 报 告 书 勘察阶段： 详细勘察 工程编号： 2015-S-02 院 长 ：范福会 总 工 程 师 ：陈冬贵 审 定 人：陈冬贵 审 核 人：王能民 工程负责人：储王应 信息产业部电子综合勘察研究院 二○一五年五月 I 文字部分 一、前言 （一）工程概况 （二）（三）勘察目的 （四） （五） 二、场地工程地质条件 （一）场地地形地貌 （二）地基土的构成与特征 （三） （四） （五） （六）不良地质三、地基土的分析与评价 （一）天然地基 （二）桩基 （）四、结论与建议 II 附图、表部分 图、表名称 1、地层特性表 2、土层物理力学性质参数表 3、勘探点平面布置图 4、工程地质剖面图 5、静力触探分层参数表 6、静力触探测试成果图表 7、钻孔柱状图 8、土工试验成果表 9、土层压缩曲线图 10、固结试验成果表 11、地基液化判别计算书 12、地下水对建筑材料的腐蚀性分析报告书 13、工程地质图例