* 第八章 刻蚀工艺 刻蚀工艺 ■ ? 概述 ■ ? 湿法刻蚀 ■ ? 干法刻蚀 ■ ? 小结 参考资料: 《微电子制造科学原理与工程技术》第11章 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) 就是通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上 层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉, 从而在下层材料上 获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。 一、 概述 1、 刻蚀: 2、刻蚀工艺的分类 (1) 湿法刻蚀与干法刻蚀 (2) 各向同性刻蚀与各向异性刻蚀 a. 湿法刻蚀:采用液态化学试剂进行薄膜刻蚀 b. 干法刻蚀:采用气态的化学气体进行薄膜刻蚀 a. 各向同性刻蚀:薄膜在各个方向上都受到同样的刻蚀 b. 各向异性刻蚀:薄膜在各个方向上所受刻蚀不等 实际刻蚀剖面 a. 横向刻蚀速度 RL b. 纵向刻蚀速度 RV (2) 选择比:不同材料的刻蚀速率比. (3) 钻刻:掩膜材料下的侧向刻蚀。 各向异性度: A=0, 各向同性刻蚀 A=1, 理想的各向异性刻蚀 1A0 ,实际的各向异性刻蚀 3、刻蚀工艺的品质因数 (1) 刻蚀速率:单位时间刻蚀的厚度。 ——决定了刻蚀工艺的产率 ——决定了刻蚀后剖面形貌和“钻蚀”程度 ? 选择性和方向性通常是最为关心的问题。 ? 化学过程;物理过程。 膜层厚度的不均匀+刻蚀速率的不均匀→图形转移尺寸的不均匀 设:平均膜厚h,厚度变化因子δ, 0≤ δ ≤1;
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