16-刻蚀资料.ppt

不同深度的接触孔刻蚀 接触孔 S D G Figure 16.28 硅的干法腐蚀: CF4 多晶硅导体长度 多晶硅栅 栅氧 栅长确定沟道长度并定义源漏电极的边界 Drain Source Gate Figure 16.29 多晶硅栅刻蚀步骤 1. 预刻蚀：去除自然氧化层和表面污染物； 2. 主刻蚀：在不损伤栅氧化层的条件下，刻蚀大部分的多晶硅膜； 3. 过刻蚀：去除残留物和剩余多晶硅。 在多晶硅刻蚀中不期望的微槽 Substrate Poly Resist Gate oxide Ions Trench in gate oxide 硅氧化层选择比：大于150:1 去残留物过刻蚀比：大于250:1 硅槽：STI 、垂直电容硅槽的刻蚀 Figure 16.31 金属刻蚀的主要要求 1. 高刻蚀速率 (1000 nm/min). 2. 对下面层的高选择比，对掩蔽层 (4:1)，层间介质层 (20:1). 3. 高均匀性，且CD控制好，没有微负载效应 (8% at any location on the wafer). 4. 没有等离子体诱导充电带来的器件损伤. 5. 残留污染物少 (e.g., 铜残留物、显影液侵蚀和表面缺陷). 6. 快速去胶，通常是在一个专用的去胶腔体中进行，不会带来残留物污染. 7. 不会腐蚀金属. 第十六章 刻蚀：16.5.3 金属