晶硅电池增效技术的C课题.pptVIP

1 2 3 东磁多晶多孔硅实验结果 3 1 2 4 3 1 2 4 多晶 实验 方案 单晶 实验 方案 12h 24h 48h 0h 0h 12h 24h 48h 方案1 重复实验 方案2 重复实验 谢 谢！ * 2015年7月5日 QDs/Si异质结敏化晶硅电池增效技术的研究 晶硅电池 成熟性 2 缺陷少 3 资源丰富 4 占据PV市场90%以上 5 实用性 1 晶硅电池的优势 Page * 光捕获损失; (2) 载流子再结合损失; (3) 热或量子损失; (4) 串联电阻损失。 晶硅电池光电转换效率降低主要源自四种能量损失： 晶体硅是一个间接能隙半导体材料，量子效率QE 通常低于10%, 导致Voc 减小。 Si is an indirect band gap semiconductor with a large energy difference between the direct gap (3.4 eV) and the indirect gap (1.1 eV)： Nanostructures？（I: bandgap tuning） 共掺杂Si纳米晶的能级结构可以从红外到紫外很宽范围内得到调制：实现间接能隙到直接能隙的转化。 Nanostructures？（II: MEG） 如果光子产生多重低能热化电子，可以明显提高量子效率。 Nanostructures？（III: Light trapping） 利用多重光散射及波干涉的Si 纳米结构,明显增加光捕获! 传统晶硅电池中，高于能隙的光子产生热载流子，热载流子在其能量被捕获之前迅速复合或冷却，导致大量太阳能损失，限制了器件效率。如果所有热载流子能够被捕获利用，理论光电转换效率可以达到66%。 半导体纳米晶可以减缓热载流子的冷却速率，而且，合适的异质结可以使热电子快速转移到电子受体。 晶体硅太阳能电池的新技术 我们的研究思路是借鉴HIT及TCA技术，结合纳米技术，采用化学液相方法，在晶硅电池片正反面沉积生长纳米半导体金属氧化物/Si异质结，使氧化物半导体能级分裂、价带杂化；增加光捕获，同时提高电子空穴捕获分离传输效率。 技术特点： 1.纳米氧化物具有陷光作用，增加光捕获； 2.半导体纳米晶异质结可以调制能隙结构，消除热电子损失， 提高电池片的短路电流密度及量子效率； 3.双面制结可以充分利用背面光线，降低饱和电流，改善开路 电压； 4. 界面进行钝化，有效地保护和提高载流子寿命。 前期研究结果（1）Si NRs composite high efficience c-Si solar cell FESEM image of different length of Silicon NRs (a) 20nm, (b) 80nm, (c) 120nm, (d) 200nm Xibin yu, RSC Adv., 2014, 4, 14862–14867 Figure. (a)Comparison of effective recombination minority-carrier lifetime and optical absorbance spectra of Si NRs solar cell. (b)Jsc, Voc, FF, and PCE as a function of Si NR length Absorbance and PCE have been enhancedan to ~45% and 17.5% for 80nm Si NR compared to the pyramid textured surface without Si NRs. （2）Si NRs/PbS QDs composite high efficience c-Si solar cell Xibin yu, Chemical Physics Letters 608 (2014) 314–318 sample Jsc(mA/cm2) Voc(mV) FF η(%) Im.(%) Bare Si 26.22 0.548 66.1 9.49 Si NRs (80nm) 30.07 0.551 67.3 11.15 17.5 PbS/Si NRs (80nm) 32.76 0.566 66.6 12.34 30.0 （3）CuO nanoleaves enhance the c-Si solar cell efficiency FESEM of the CuO NLs growing on pyramid-textured Si substrates. Xibin yu, J. Ma