半导体器件物理9概述.pptVIP

* 第二章 双极结型晶体管 双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT）是最早出现的具有放大功能的三端半导体器件，自 1948 年诞生以来，一直在高速电路、模拟电路和功率电路中占据着主导地位。通常所说的晶体管就是指双极结型晶体管。 BJT 是由靠得很近的两个 PN 结构成的半导体器件。BJT 一般包含 N+PN 或 P+NP 三个区域，前者称为 N+PN 晶体管，后者称为 P+NP 晶体管。 § 2.1 晶体管的结构 1．晶体管的基本结构 N+PN 型晶体管 P+NP 型晶体管 N+PN 型晶体管电路符号 P+NP 型晶体管电路符号 特点：① 基区的宽度必须远远小于该层材料中少数载流子的扩散长度，否则就成了两个背靠背的独立 PN 结；② 发射区重掺杂，能发射大量的载流子。 在晶体管内部，载流子在基区中的传输过程是决定晶体管许多性能（如电流增益、频率特性等）的重要环节。而在基区宽度确定之后，基区杂质分布是影响载流子基区输运过程的关键因素。尽管晶体管有很多制造工艺，但在理论上分析其性能时，为了方便起见，通常根据晶体管基区的杂质分布情况不同，将晶体管分为均匀基区晶体管和缓变基区晶体管。本章重点介绍均匀基区晶体管一些特性原理。 2．均匀基区晶体管和缓变基区晶体管 均匀基区晶体管的基区杂质是均匀分布的，在这类晶体管中，载流子在基区内的传输主要靠扩散机理