半导体器件物理4概述.pptVIP

* §1.3 理想 PN 结的直流电流-电压特性 符合以下假设条件的 PN 结称为理想 PN 结模型： 小注入条件。注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多。 突变耗尽层条件。外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是电中性的。因此，注入的少数载流子在 P 区和 N 区是纯扩散运动。 通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用。 玻耳兹曼边界条件。在耗尽层两端，载流子分布满足玻耳兹曼统计分布。 1．理想 PN 模型 2．正向偏压特性 （1）非平衡少子在扩散区中的分布 1）边界少子浓度 在 P 区边界 处，电子和空穴的费米能级分别为 和 ，所以电子和空穴的浓度分别为： 又 ， 代入上式可得 同理可得，在 N 区边界 处，空穴的浓度为： 在 P 区边界 处，电子的浓度为： 其中 、 分别表示 P 区和 N 区的平衡少子浓度。 2）扩散区少子浓度分布 正向 PN 结向对方注入的少子往体内边扩散边复合，形成一个稳态分布。先分析 N 区少子空穴分布，少子空穴稳态扩散方程（一维，理想模型下）为： 表示由于扩散，x