低频电子电路_01解释.ppt

课程概述 电子电路 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IR PN 结截止 IR IR 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 IR?? 结论：PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结——伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） PN 结——伏安特性曲线（ VD(on) -IS Si Ge VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止