Rena_前后清洗工艺培训资料.ppt

C.温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀量的不同，进而导致电性能的波动。 预防措施： 1.设备定期检查cool是否正常 2.设备端进行温度SPC监控 3.工艺每天检查温度趋势 4.测量硅片反射率是否超规范 5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 D.设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行，进而出现脏片。 预防措施： 1.设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。 2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口 3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口 4.对于碱槽，当设备待料超过10分钟时必须冲洗喷淋及风刀 E.过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从而影响效率及良率 预防措施： 1.调节排风或降低流量或提高速度 2.设备端安装排风监控表，并每天检查 3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板 4.药液浓度异常，需调节浓度 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器 F.设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等，最终影响效率 预防措施： 1.设备PM时定期检查 2.工艺及时反馈刻蚀状况 G.设备PM彻底性