6实验六晶体的电光调制实验资料.docVIP

实验七 晶体的电光调制实验 一、实验目的： 1、了解电光调制的基本原理及铌酸锂晶体横向调制的基本机构。 2、掌握铌酸锂电光调制器的调试方法并测量和计算晶体的特性参数。 二、实验仪器： DGT-1电光调制实验仪，晶体电光调制器，半导体激光器，双踪示波器等。 三、实验原理： 某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的改变而发生变化的现象称为电光效应，利用这一效应可以对透过介质的光束进行幅度,相位或频率的调制，构成电光调制器。电光效应分为两种类型： （1）一级电光（泡克尔斯—Pockels）效应，介质折射率变化正比于电场强度。 （2）二级电光（克尔—Kerr）效应，介质折射率变化与电场强度的平方成正比。 本实验仪使用铌酸锂（LiNbO3）晶体作电光介质，组成横向调制（外加电场与光传播方向垂直）的一级电光效应。 图1 横向电光效应示意图 如图1所示，入射光方向平行于晶体光轴（Z轴方向），在平行于X轴的外加电场（E）作用下，晶体的主轴X轴和Y轴绕Z轴旋转45°，形成新的主轴X’轴—Y’轴（Z轴不变），它们的感生折射率差为Δn，并正比于所施加的电场强度E： 式中r为与晶体结构及温度有关的参量，称为电光系数。 n0为晶体对寻常光的折射率。 当一束线偏振光从长度为l、厚度为d的晶体中出射时，由于晶体折射率的差异而使光波经晶体后出射光的两振动分量会产生附加的