02半导体物理和器件物理3-6答题.ppt

杂质能级 通常，杂质能级处于禁带中。 10. 热平衡载流子浓度 分布在各个能级上的电子服从统计规律：在绝对温度为T的物体内，电子达到热平衡时，能量为E的能级被电子占据的几率f(E)为 重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 4.2 晶体管的反向漏电流和击穿电压 反向漏电流 Icbo：发射极开路时，收集结的反向漏电流 Iebo：收集极开路时，发射结的反向漏电流 Iceo：基极极开路时，收集极－发射极的反向漏电流 晶体管的主要参数之一 4.3 晶体管的击穿电压 BVcbo Bvceo BVebo BVeeo晶体管的重要直流参数之一 4.4 晶体管的频率特性 ?截止频率 f?：共基极电流放 大系数减小到低频值的