位错蚀坑观察资料.pptVIP

位错蚀坑观察 一、实验目的 了解利用侵蚀坑观察位错的方法。 二、实验材料及设备 纯铁 显微镜 三、实验原理 选择适当的侵蚀剂和在一定侵蚀条件下，把晶体表面侵蚀掉一层，由于位错附近的点阵畸变以及杂质原子聚集等原因使其侵蚀速率与周围基体不同，一般是位错露头处侵蚀速率快，故形成蚀坑。现以硅单晶为例说明。 （一）不同晶面上的位错蚀坑 图1 位错蚀坑在各个晶面上的形状 a) {111}上的蚀坑 b){110}上的蚀坑 c) {100}上的蚀坑 硅是金刚石型晶体结构，属于面心立方晶体点阵。位错蚀坑在各个晶面上的形状如图1所示。观察面为{111}晶面时，是正三棱锥坑（等边三角形）；观察面为{110}晶面时，是矩形底四棱锥坑（矩形）；观察面为{100}晶面时，是正方形底四棱锥坑（正方形）。因此，可以根据位错蚀坑的形状判断观察面所属晶面族。至于说，观察面不同为什么蚀坑形状不同这主要是因为被侵蚀的晶体表面总趋于以表面能最低的密排面作为外露面。 侵蚀剂： A液，HCl 0.5ml，H2O2 15ml，H2O 100ml （12s） B液，HCl 1ml，FeCl3·6H2O 10g，H2O 100ml （8s） C液，4%硝酸酒精 （10s） 侵蚀程序如下：抛光后的试样先在A液中侵蚀约8-15秒，目的是为了出现蚀坑的核心。这时试样表面形