altera提供的sdramipcore应用小节.docVIP

Altera提供的sdram ip core应用小节 1.SDRAM是一种高速高容量同步动态存储器。其原理介绍参考sdram原理和时序.pdf 2.SDRAM时序控制 SDRAM的正常操作包括：初始化(initialize)，寄存器定义（register definition），激活（active），读（read），写（write），预充电（precharge）,自动预充电（auto precharge），自发停止命令（Burst Terminate），自动刷新（auto refresh），自我刷新（self refresh），空操作（NOP）。 2.1 初始化(initialize) SDRAM上电后必须按一种确定的方式初始化。一旦SDRAM上的电压加至Vdd并且时钟稳定后，SDRAM需要有100us的时间不接受除NOP以外的任何命令。当100us过后，应该对SDRAM发出预充电（precharge）命令，使得SDRAM所有bank预充电，这样bank都进入idle状态。之后，要使SDRAM连续执行两个auto refresh 周期。当这两个周期完毕之后，就可以对SDRAM的模式寄存器（mode regester）进行操作。 2.2 寄存器定义（register definition） 模式寄存器（mode regester）用来决定SDRAM用何种工作模式工作。模式寄存器（mode regester）定义了 ：何种读写模式（burst 或 fullpage），burst长度（burst length），CAS延时。 从下图看出，模式寄存器（mode regester）的M0-M2位定义了burst长度，M3定义了burst的类型（连续的或交叉存取的），M4-M6位定义了CAS延时。M7和M8定义工作模式。M9定义写burst模式。 0000000000001000100111 2.3 激活命令（active） reada,writea 激活命令用来打开某一特定bank的一row，BA0和BA1上的值选择了某个bank，地址线A0-A11的值对应着某一row。被激活的row在未接到precharge命令之前会保持原状态。如果需要切换bank地址进行操作，就必须在两个命令之间插入precharge命令。 读（read）和写（whrit）操作 读命令是在激活的一row上开始一个burst或fullpage读或写操作。BA 0 BA1上的值选择了bank，A0-A9 (x4), A0-A8 (x8), or A0-A7 (x16)选择了起始column地址。A10的值决定了是否选择autoprecharge模式。在模式寄存器中已经设置了读或写的工作方式。 预充电（precharge） 预充电命令用来使激活的row关闭。A10决定是只关闭一个bank或着全部的bank。在切换地址时，如果需要有bank的变动，需要在读写之前插入precharge命令。 自动预充电（auto precharge） fullpage mode不支持autoprecharge,A10=0 A10为1时， 除了在 burst工作模式下，在读或写结束后都会进行一次自动预充电。 2.7 自发停止命令（Burst Terminate） 自发停止命令用于在一个连续的读或写命令中插入，提前结束这一串的数据的读或写。 自动刷新（auto refresh）和自我刷新（self refresh） 每过15.6us就refresh一次1行15.6us×4096＝64ms SDRAM操作指令 指令对应于RAS_N,CAS_N,WE_N 　接口部件控制命令表 ALTERA提供的通用SDRAM控制器的结构 这是总体示意图，左边是用户操作端，右边则与SDRAM相连。 该通用控制器由3部分组成，分别是：commend，control_interface，str_data_path。主要功能是将外部提供的read write precharge等命令转化为SDRAM理解的RAS_N，CAS_N，WE_N指令。 1：control_interface 功能：从CMD[2：0]接收外部指令，ADDR[21：0]接受地址，REF_ACK接收refresh的反馈信号。CM_ACK接收命令结束信号反馈。本模块将CMD编码信号转化为逐个的单个信号，将lode mode中的控制信息也存入寄存器。再传给下一级commend模块。 2：commend 功能:将上一级control_interface模块初步翻译过的单个控制命令翻译成RAS_N，CAS_N，WE_N组合的指令。并且将控制信息中的延时信息体现出来。OE