光电子论文.docVIP

半导体激光器在光通信中的作用 姓 名： 高迪 学 号： 200801071348 专 业： 应用物理 指导教师： 何巍巍 半导体激光器在光通信中的应用 高迪 大庆师范学院物理与电气信息工程学院 摘 要：在当今的这个信息社会，半导体激光器己经被广泛的应用于光纤通信，激光医疗，激光加工，光电子集成电路等各个领域。本文介绍了半导体激光器研究进展及在光通信中的重要应用。 关键词： 半导体激光器，半导体材料，光电子，光通信，激光技术 一 前 言 半导体激光从它诞生的那天起,就和通信有着密切联系。这种联系至今非但没变,而且越来越成为实现光通信中的关键器件。特别是室温连续振荡激光器的出现,使人们对半导体激光器寄予更大的希望。光通信的设想不是最近才提出来的。早在昭和初期到二次世界大战期间日本国内便已着手这方面的研究工作。 二 半导体激光器的原理 从半导体的激光器的发展历程来看，自1962年问世以来，从最初的低温（77K）下运转发展到现在的室温下连续工作，由小功率型到现在实现的大功率输出，其结构也从最开始的同质结发展成异质结、量子阱，从F-P谐振腔到分布反馈型、布拉格发射型等270余种结构形式的半导体激光器。 同质结激光器是更复杂、更高性能报道提激光器的基本结构，简单直观地体现了半导体激光器的基本工作原理，其制作工艺也相对简单，但目前已基本不用该结构制作激光器，以下介绍半导体激光器的工作原理。 GaAs基的N-AlxGa1-xAs/un-GaAs/P- AlyGa1-yAs双异质结端面出光激光器，有源区为具有直接带隙的未参杂的窄禁带材料GaAs，其厚度通常约为0.2μm ，两侧的限制层为具有一定参杂浓度的宽禁带AlGaAs 。对于一般的异质结构，在外加正向偏压，理想情况不考虑复合电流的情况下，载流子在结区两边的注入比约为J宽/J窄=(N宽/N窄)*EXP(ΔEg/kT)，所以由于带隙差ΔEg 的存在以及窄禁带未参杂，宽禁带接近高参杂，使得注入比非常高。双异质结激光器中有两个相对的异质结构成，两侧的宽禁带中多子电子和空穴均向中间的窄禁带GaAs中注入，使得其中有大量的电注入过剩载流子，从能带结构来讲，其非平衡费米能级分别进入了窄禁带材料的导带和价带，引起了粒子数翻转，这也是激光产生的一个必要条件。 一般认为产生激光的必要条件主要包括五个方面：泵浦源、工作物质（粒子数翻转）、谐振腔、正反馈、输出。这里泵浦源既是两端所加的正向偏压提供，工作物质当然就是双异质结的N-AlxGa1-xAs/un-GaAs/P- AlyGa1-yAs，最终在正向偏压的作用下，在GaAs中形成粒子数翻转，由于GaAs为直接带隙半导体材料，其辐射复合系数非常大，而且AlGaAs/GaAs的晶格常数相等、晶格匹配，在现在的工艺条件下，可以形成非常好的界面态非常少的界面，而保证由于界面态引起的非辐射复合效应非常小，从而使得其内量子效应非常的高，辐射产生光子后，以半导体激光器中常见的而且应用也最广的F-P谐振腔为例，光子在有GaAs的两个相对的解理面，通常为（100）面或者（110）面构成的F-P谐振腔中来回谐振，进行纵模选择，通过多次的来回震荡之后，选择出非常少数的模式。这些模式在腔中震荡的同时，在GaAs材料中运动，与处于激发态的电子空穴相互作用，产生受激发射，实现这些被选择模式的放大。对于横模选择的基本原理是基于半导体异质结中，通常款禁带材料的折射率比窄禁带半导体的折射率低，因此对于在窄禁带材料中传播的光有限制作用，使得光被限制在窄禁带GaAs中，当然介质波导同金属波导不同，在介质界面处通常不会像金属波导那要由于屏蔽作用或者趋夫效益只在表面反射而不进入金属，介质波导通常会有电磁场进入款禁带的半导体中，并在很短的深度范围内指数衰减到零。这种指数衰减的波叫消逝波。除了这种波以外，还有两种波一种是传到波，既是在窄禁带导波层里传递的波，一种是辐射波，既是能量不能完全限制在导波层以及导波层和包层界面附近，而是以正弦波的形式将能量辐射到外界，不能让波沿着某个特定的方向传播，而不能实现导波。但是值得注意的一点是：在激光腔中，谐振的方向是纵模方向，横模方向比没有实现谐振，因此其横模的选择也就不是通过振荡实现的，而是由于折射率差对光的限制作用实现的，具体理论的推导是要通过求解异质结界面条件下的麦克斯韦方程才能获得的。因此就有了所谓的平板型、条形激光腔、甚至圆形激光腔对横模进行限制选择[1]。 三 半导体激光器的发展 半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领