-C3N4新型聚合物光催化材料的研究.ppt

-C3N4新型聚合物光催化材料的研究

光电协同催化提升C3N4的矿化性能 * 清华大学化学系 * 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 * 清华大学化学系 * 典型的吸附控制过程 C3N4薄膜稳定性非常好,很好的pH值适应性 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 * * 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 光电协同催化大幅度增加降解活性 * 清华大学化学系 * 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 光电协同催化过程可以促进电荷的分离 * 清华大学化学系 * 光电催化苯酚TOC去除率是电催化降解的2.4 倍 可以实现苯酚的完全矿化 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 * 清华大学化学系 * 光电协同催化提升C3N4的矿化性能 C3N4光催化苯酚的矿化率低; 光电催化苯酚矿化率高,中间产物少; 光催化方面研究工作 TiO2介孔薄膜光催化剂 钨酸铋和钼酸铋光催化剂 钨酸锌和钼酸锌光催化剂 磷酸铋光催化剂 共轭π分子表面杂化光催化研究 表面氧缺陷型光催化研究 光电协同催化降解研究 C3N4活性与氧化能力提高研究 吸附富集-定位光催化降解研究 清华大学环境与能源催化实验室 致 谢 国家自然科学基金杰出青年基金、重点项目、科技部973项目(2013CB632403)和863项目(2012AA062701)的资助 * 感谢各位老师和同学的支持! 谢 谢! * * * * 当复合量为10%时,复合层增厚,,主要是C3N4反应,结晶性和比表面积增大是主要因素 * * C3N4与TCNQ复合提升性能 TCNQ与C3N4产生了相互作用 促进了电荷的分离 * 清华大学化学系 * C3N4与TCNQ复合提升性能 复合结构调低了价带位置,提升了氧化能力; 相互作用的电荷转移拓展了可见光活性范围 K离子掺杂提升C3N4的性能 * * Applied Catalysis B: Environmental, 164 (2015) 77 K离子掺杂不影响化学基团 * 清华大学化学系 * K离子掺杂提升C3N4的性能 降解活性提高了3.5倍 光电流提高了5倍 * K离子掺杂提升C3N4的性能 K掺杂,促进了电荷的分离,提升活性 * 清华大学化学系 * K离子掺杂提升C3N4的性能 K掺杂结构调低了价带位置,提升了氧化能力 C3N4表面杂化提高光催化性能 * 清华大学化学系 * J. Mater. Chem., 2012, 22, 11568 Energy Environ. Sci., 2011, 4, 2922 Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1518–1524 C3N4表面杂化提高光催化性能 石墨烯 聚苯胺(PANI) 共轭π分子良好的载流子传输能力 光生电子-空穴的 快速分离和迁移 增强光活性 抑制光腐蚀 可见光响应 共轭π键分子,具有HOMO和LUMO轨道, 在载流子传输方面具有良好特性;共轭π键容易和其它化学键产生相互作用,引起光电性能的变化 石墨 C60 g-C3N4 P3HT * C3N4/ZnO杂化催化剂研究 Energy Environ. Sci., 2011, 4, 2922 C3N4/ZnO杂化催化剂的制备: 将C3N4分散于于100ml 甲醇溶液中,加入1g 纳米ZnO,超声30min,充分分散后, 搅拌24小时,使吸附反应充分进行。待甲醇自然挥发干后,所得固体于200?C烘12小时,研磨,备用。 表面杂化催化的制备 超声 C3N4 CH3OH 光催化活性的提高 可见光(λ450nm) C3N4杂化后紫外光催化活性是修饰前的3.5倍,也提高了矿化能力 2. C3N4表面杂化后光催化剂的响应范围拓展到可见光区 MB,10-5M TOC 紫外光λ =254nm 光电流的提高 紫外光λ =254nm 可见光(λ450nm) 杂化催化剂的紫外光光电流响应值约是ZnO电极5倍,C3N4的10倍 2.杂化催化剂的响应拓展到可见光区 3. C3N4的杂化可有效提高电荷分离效率 光腐蚀的抑制 ZnO发生了严重的光腐蚀 C3N4 /ZnO具有良好的光稳定性 紫外光λ =254nm,光强:0.8 mW/cm2 MB,10-5M 光腐蚀的抑制 ZnO C3N4 /ZnO-2% 反应前 反应前 48h反应后 48h反应后 ZnO发生严重的光腐蚀 C3N4 /ZnO具有良好的光稳定性 C3N4的修饰抑制了ZnO的光腐蚀效应 光腐蚀的抑制 光催化剂 反应前 4小时反应后 24小时反应后 ZnO 1.940 9.485 389.500 ZnO/C3N4-2% 1.247 7.264 8.078 XRD 体系溶液中Zn2+浓度(ug/mL) ZnO发生严重的光腐蚀 C3N4的

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