微电子器件(3-4)概述.pptVIP

* * 3.4 双极晶体管的直流电流电压方程 本节以缓变基区 NPN 管为例，推导出在发射结和集电结上外加 任意电压 时晶体管的直流电流电压方程。 E B C IE IB IC VCE VBE VBC N N+ P + + + - - - 电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示， 推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：方程在 “边界条件 1” 时的解 n1(x) 与在 “边界条件 2” 时的解 n2(x) 的和 [ n1(x) + n2(x) ] ，等于以 “边界条件 1 与边界条件 2 的和” 为边界条件时的解 n(x) 。 3.4.1 集电结短路时的电流 式中，IES 代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 于是可得到发射结为任意偏压、集电结零偏时晶体管三个电极上的电流为 3.4.2 发射结短路时的电流 把晶体管的发射区当作“集电区”，集电区当作 “发射区”，就可得到一个倒过来应用的晶体管，称为 倒向晶体管。发射结短路就相当于倒向晶体管的“集电结”短路，因此晶体管在本小节的偏置状态就相当于倒向晶体管在上一小节的偏置状态。故可得 式中，ICS 代表集电结反偏、发射结零偏