3-1电子光学基础.pptVIP

3.2.3旁轴电子轨迹方程的分析与讨论 （1）会聚特性分析 电子光学基础 结论：场对电子总是起会聚作用，恒为会聚透镜 （2）像转角分析 结论：①在场内，像点相对于物点旋转了θ角 ②起点坐标ｚ0和终点坐标ｚi相同的所有电子，无论起点的离轴距离和发射方向是否相同，在磁场的作用下像转角相同 z0 z zi 电子在磁场中的像转角 r z 0 轨迹下凹，向ｚ轴会聚 轨迹上凹，向ｚ轴会聚 ③若磁场方向反向，则电子也反向旋转，即像转角也反向 物面 像面 z 物面 像面 z 轴对称磁场中的像转角示意图 电子光学基础 五、轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 电子光学基础 1.理想成像的两个条件 依据成像理论，理想成像应满足以下两个条件 z r B a b c d A C D o 理想成像应满足的条件 （１）点点对应成像。从物平面上发出的所有电子，通过场（电子透镜）的作用，在像平面上会聚于相应的像点上。像点与物点，点点对应 （２）像和物的几何形状相似。也就是说各点的横向放大率与物高无关 □ ABCD∽□abcd 旁轴电子轨迹（高斯轨迹）在轴对称静电磁场中满足理想成像条件 2.轴对称静电场的聚焦成像性质 方程通解 旁轴电子轨迹方程 入射电子初始入射角 旁轴电子轨迹的解为 电子光学基础 r1(z)离对称轴单位距离平行轴入射的电子轨迹; r2(z)轴上发出与轴成45°角入射的电子轨迹 45° 两特解轨迹 入射电子初始离轴距离 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 （1）轴上点发出的电子聚焦成像 电子轨迹 物平面 像平面 因特解r2(z)轨迹在会聚场的作用下，总会在运动到某一时与ｚ轴相交，设r2(z)轨迹在z=zi处与ｚ轴相交，则 结论：由轴上点z0处发出的所有电子，不论其初始斜率（即发射方向）如何，经透镜场的会聚作用后，将会聚于像平面上的同一点。表明轴上发出的电子具有点点对应成像特性 r(z)是由轴上发出的电子轨迹 电子光学基础 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 物平面 像平面 （2）轴外点发出的电子聚焦成像 设r(z)为物平面内轴外任意一点Ｐ0处发出的任意一电子轨迹 在z=zi像平面上 定值 常数 结论：轴外同一物点发出的电子，不论其初始斜率如何，都会聚于像平面上同一点 电子光学基础 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 （3）像与物几何形状相似 横向放大率定义为像高与物高的比值，即 ＝常数 物平面(z=z0) 像平面(z=zi) r 对于一个确定的透镜场来说， 是一个确定值。所以，Ｍ＝定值（常数） 结论：物在像平面上等比例放大，像与物的几何形状相似 电子光学基础 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 3.轴对称静磁场的聚焦成像性质 电子光学基础 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 轴对称静磁场中的旁轴电子轨迹方程 （1）物点发出的电子点点对应聚焦成像 旁轴电子径向轨迹 类似于轴对称静电场分析，径向轨迹在像平面上聚焦成像 结论：由同一物点处发出的所有电子，不论其初始斜率（即发射方向）如何，经透镜场的会聚作用后，在像平面上会聚于同一点，点点对应成像 （2）像转角是否影响聚焦成像？ 电子在轴对称静磁场中，与轴对称静电场所不同的是有角向旋转。那么，电子在轴对称静磁场中的角向运动，会不会影响理想成像特性呢？ z0 zi z 电子在磁场中的像转角 经轴对称静磁场作用后，电子的转角取决于电子的起点坐标z0及终点坐标zi，而与电子的起点离轴距离r(z0)及初始斜率 （即初始入射方向）无关。表明像平面上的所有像点，相对于物平面上的物点都旋转了同一角度θ，其角向旋转不会改变像与物的几何形状相似，即像转角不影响聚焦成像 电子光学基础 轴对称场中旁轴电子的聚焦成像性质 电子光学基础 电子光学（electron optics）是研究荷电粒子在电磁场中运动和电子束在电磁场中聚焦、偏转、成像等规律的学科 电子光学是设计电子束管和电子离子仪器的理论基础 广义的电子光学还包括离子光学 电子光学已渗入到电子学、电子显微学、质谱学、电子能谱学、表面物理、材料科学、高能物理等领域中，凡是涉及到产生、控制和利用带电粒子束的问题，都需要运用电子光学成果 一、光学显微镜的分辨本领理论极限 1.爱里斑(Airy disc) 电子光学基础 由于光的波动性，光通过小孔会发生衍射，明暗相间的条纹衍射图样，条纹间距随小孔尺寸的减少而变大。大约有84%的光能量集中在中央亮斑，其余16%的光能量分布在各级明环上。衍射图样的中心区域有最大的亮斑，称为爱里斑。 爱里斑 19% I I0 电子光学基础 瑞利（Raylei）准则指出：光学显微镜的极限分辨本领由下列公式给出 2.瑞利（Raylei）准则 可见，光学显微镜分辨本领受到光波波长的限制 为可分辨的最小间距，即分辨本领 λ为光波在真空中的波长 α为孔径角