基本电路期末考试总复习解释.ppt

二极管应用电路—限幅电路 vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 解： VR Vm 例： ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例2： ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 动画 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例3: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求图中：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 二极管应用电路—开关电路 知识点五：晶体管的工作状态及参数计算 三极管电路的工作状态判断。 放大区：发射结正偏，集电结反偏 饱和区：发射结正偏，集电结正偏 截止区：发射结反偏，集电结反偏 晶体管具有电流放大作用 晶体管的三种工作状态 工作状态 NPN PNP 特点 截止状态 E结、C结反偏; VB VE ; VBVC E结、C结反偏; VB VE ;VB VC ?C≈0 放大状态 E结正偏、C结反偏；VCVBVE E结正偏、C结 反偏;VCVBVE ?C≈??B 饱和状态 E结、C结正偏; VBVE ; VBVC E结、C结正偏; VBVE ;VBVC VCE=VCES 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 例4： 例 右图 所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN /PNP、硅/锗），并说明x、y、z 代表的电极。 提示： （1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：VC VBVE，PNP管：VEVBVC；（2）导通电压：硅管|VBE|= 0.6~0.7V，锗管|VBE|= 0.2~0.3V， （a） NPN硅管、 X-基极B、 Y-射极E、 Z-集电极C (b) PNP锗管、 X-集电极C、 Y-射极E、 Z-基极B 例： ?=50， U =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB = -2V时： IC UCE IB U RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例： ?=50， U=12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB U RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， U=12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？0 IC UCE IB U RB USB C B E RC UBE IC Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系） 12 动态工作情况如图2.3.9所示。 思考题： （1）动态工作时， iB、 iC的实际电流方向是否改变？vCE的实际电压极性是否改变？ 图2.3.9 动态工作情况 知识点六：放大电路交流性能计算 静态工作点的计算 非线性失真-饱和失真，截止失真 H参数交流等效电路（微变等效电路） 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 例： 解： 求电路的静态参数（IB、IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)。 根据直流通路求静态参数 VB IB IC 根据微变等效电路求动态参数 1. 电压放大倍数 2. 输入电阻Ri 3. 输出电阻Ro（输出端开路，输入电压为零） Ri Ri 根据微变等效电路求动态参数 例： 在图示放大电路中，已知UCC=12V, RC= 6kΩ, RE1= 300Ω， RE2= 2.