模拟电路与数字电路第2章g.pptVIP

场效应管的种类和符号 场效应管分为结型场效应管（Junction field effect transistor,简称JFET）和绝缘栅型场效应管（Insulated gate field effect transistor，简称IGFET）两大类。 绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两类。 2.4.1 场效应管的结构、符号、类型 分类： ①按结构分为结型和绝缘栅型。JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 ②按导电沟道分有N沟道和P沟道，N沟道主要靠电子导电，P沟道主要靠空穴导电。 ③按工作方式分有增强型和耗尽型。增强型管内无原始导电沟道，耗尽型管内有原始导电沟道。 N沟道绝缘栅场效应管的结构示意图 N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号 N沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图和符号 场效应管的分类、符号和特性比较(1) N沟道增强型MOSFET、P沟道增强型MOSFET 场效应管的分类、符号和特性比较(2) N沟道耗尽型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET 场效应管的分类、符号和特性比较(3) N沟道JFET、P沟道JFET 2.4.2场效应管的工作原理（以绝缘栅型FET为例） N沟道耗尽型 可在正或负的栅源电压下工作