杂质缺陷-by石聪12121855概述.ppt

. 半导体中的杂质缺陷 杂质缺陷 石聪目录 杂质 杂质的分类 杂质在半导体中的分布 杂质原子的影响 缺陷 杂质缺陷的分类及作用 化合物半导体中的杂质缺陷 III-V族化合物中的杂质 两性杂质 单极型半导体和双极型半导体 杂质 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 杂质来源: （1）有意掺入为了控制半导体的性质 （2）无意掺入原材料工艺上纯度不够,或沾污 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位式杂质 （2）间隙式杂质 杂质在半导体中的分布 A为间隙式杂质,位于晶格原子间的间隙位置的杂质.这种原子一般比较小,如离子锂半径为0.068nm,很小,在硅、锗、砷化镓中是间隙式杂质。 B为替位式杂质,取代晶格原子而位于晶格点处的杂质.这种原子的大小一般与被取代的晶格原子大小比较接近，而且要求它们的价电子壳层结构也比较接近。如III，V族元素在硅、锗晶体中是替位式杂质。 杂质原子在Si晶体中的两种存在方式 杂质原子的影响 (1)杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏： (2)在禁带中引入允许电子具有的能量状态(