现代技术分子发光法解读.ppt

第7章 分子发光法 三维荧光光谱采用F-7000 型荧光光度计测定，λex 与λem 的扫描范围分别为( 200 ～ 400) 和( 200 ～ 500)nm。EEM 数据采用Origin8.0软件进行处理，以等高线图表征，每条等高线间隔代表5个单位荧光强度。 原水的Ⅱ ～Ⅴ荧光区内多处出现削峰现象，同时Ⅰ区内存在明显的荧光峰，说明该段河水中各类天然有机物的含量均较高，DOM 以类腐殖酸、类富里酸和芳香族蛋白质为主。 结论： （1）在前15 min 内，活性炭对各类有机物的吸附效果最为显著； （2）活性炭对水中有机物的吸附具有明显的选择性，对类腐殖酸、类富里酸化合物的吸附效果较好，对芳香族蛋白质类化合物的吸附效果较差。 荧光激发光谱与荧光发射光谱 荧光激发光谱 定性分析依据 荧光光谱形状与激发波长无关。 不同荧光物质的结构不同，其S0与S1态的最低振动能级间的能量差不一样，基态中各振动能级的分布情况不一样，所以其荧光光谱的形状也不一样。 荧光强度及其与浓度的关系　 荧光与分子结构的关系 强荧光分子：具有大的共轭π键、给电子取代基和刚性平面结构等。 无显著荧光：饱和化合物及仅有孤立双键化合物。 共轭π键体系 刚性平面结构 取代基效应 电子跃迁类型 共轭π键体系 菲：350nm 共轭环数相同的芳香族化合物，线性环结构的荧光波长比非线性者长。 最强最有用的荧光物质多是含有低能π－π*跃迁的有机芳香族化合物及其金属离子配合物。 电子共轭程度越大，越容易产生荧光； 环越大，发光峰红移程度越大，发光越强。 刚性平面结构 平面构型，强荧光物质 　　强荧光物质分子多数具有刚性平面结构。　　 非平面构型，不发荧光 取代基效应 取代基种类 取代基位置 给电子取代基 得电子取代基 给电子取代基 形成 p –π 共轭效应，加强荧光。 －OH、－OR、－CN、－NH2、－NHR、－NR2、－OCH3等。 得电子取代基 n 电子云与π电子云不共平面，荧光减弱，磷光加强。 　 －COOH、－NO2、－SH等。 　　重原子效应 芳环上取代上F、Cl、Br、I 后，系间串跃加强，荧光强度随卤素相对原子质量增加而减弱，磷光相应增强。 取代基位置 对位、邻位取代，荧光增强； 间位取代，荧光减弱。 电子跃迁类型 　　含氮、氧、硫杂原子的有机物（如喹啉、芳酮类）：含未键合的非键电子 n，电子跃迁多为 n－π* 型，系间串跃强烈，荧光很弱或不发荧光。 　　不含氮、氧、硫杂原子的有机萤光体多发生π－π*型跃迁，摩尔吸光系数大（约为104），荧光辐射强。 影响荧光强度的主要因素 荧光猝（cu）灭 自猝灭 转入三重态猝灭 电荷转移猝灭 温度、酸度和溶剂的影响 表面活性剂的影响 荧光分子与溶剂或其他物质分子作用使荧光强度减弱 自猝灭 M*在发光前与基态碰撞引起猝灭，或生成不发荧光的基态多聚体，或因自吸收导致荧光强度减弱。 电荷转移猝灭 　　激发态分子与其他物质发生后氧化还原反应 M* + Fe2+ →M－ ＋ Fe3+ 转入三重态猝灭 　含有减弱荧光的得电子取代基物质以及重原子效应常发生 S1 → T1 间的系间串跃，将多余的能量消耗于碰撞之中。 羧酸、羰基、硝基、重氮化合物等 温度、酸度和溶剂的影响 表面活性剂的影响 　　但单体表面活性剂浓度达到临界胶束浓度，可起到胶束增敏作用，使φf 明显增大。 　　温度降低，φf 和If 均增大。 　　荧光物质为弱酸或弱碱，pH的改变会影响其型体分布和荧光强度。 　　溶剂的改变会使荧光物质的φf 发生变化，或导致其他副反应的发生。 7.3 荧光分析仪器 高压汞灯：365nm、405nm、436nm 谱线；氙灯：250～800nm 连续光谱 光栅：杂散光较大，可用前置滤光片消除 石英材质，规定方向放置 高压源稳定，才能获得良好的线性 狭 缝 　　入射狭缝与出射狭缝宽度相等时，单色器射出的单色光有75％的能量辐射在有效带宽内：同时保证分辩率和光通量。 荧光分光光度计 　　用纯水的拉曼峰信噪比（S/N）表示仪器的灵敏度，大多在20～200范围内。 实例 紫外脉冲荧光SO2 监测仪 7.4 分子荧光定量分析方法 1. 工作曲线法 　　适用于大批量样品测定。 2. 比较法 　　适用于样品数量不多的情况。 3. 多组分混合物的荧光分子 4. 荧光分析注意事项 3. 多组分混合物的荧光分子 （1）混合物各组分的荧光峰互不干扰 　　分别在不同的波长处测定。 （2）混合物各组分的荧光峰互相干扰，但激发光谱有显著差别 　　选择不同的激发光进行测定。 （3）混合物各组分的荧光峰在同一激发光波长下互相干扰 　　利用荧光强度的加和性，在适宜的荧光波长处测定，联立方程求解