第4章半导体二极管和晶体管1.pptVIP

模拟电子电路 §4.1 半导体物理基础知识 4.1.1、本征半导体 2.PN 结的单向导电性 （2）PN 反向偏置 3.PN 结的电容效应（自学） 4.2.1、二极管的基本结构 2、二极管的伏安特性 1. 单向导电性 电击穿：二极管的反向电流随外电路变化，反向电压维持在击穿电压附近---稳压管 交流小信号模型 Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 1、二极管整流电路 晶体二极管电路的应用 V RL ui uo (a) 电路 t ui uo t 0 0 (b) 输入、输出波形关系 半波整流电路 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 2、稳压管稳压电路 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 限流电阻 1. 稳定电压UZ 2. 额定功耗PZ 击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。 由管子升温所限定的参数，使用时不允许超过此值。 3. 稳定电流IZ 4. 动态电阻rZ 5. 温度系数α 在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。 表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。 一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）。 2、稳压管主要参数 u i ≥ E+UD(ON) 3、二极管限幅电路 =5mA， R=510Ω。假定输入电压变化范围为18～24V， 试确定负载电流的允许变化范围。 例4.2.1 在图4.2.6的稳压电路中，稳压管2CW14(UZ=6V， =33mA) (1) 计算 和 UZ=6V R=510Ω 输入电压 变化范围为18～24V =5mA， =33mA) (2) 计算 及 由于 ，当 和 时，流过 的电流最大，为了使稳 压管能安全工作，应使 因此 当Ui=Uimin和IL=ILmax时，流过IZ的电流最小， 为了稳定输出电压，应使 因此 即IL的允许变化范围为2.3~18.5mA。 解： VDz被反向击穿，使输出电压稳定，故 【例】 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 【解】（1）理想模型，如图（b） 当ui≤UREF时，二极管截止，u0=ui；当uiUREF时，二极管导通， u0=UREF=3V，波形如图(d) 【解】（2）恒压降模型，如图（c） 当ui≤(UREF+UD(on))时，二极管截止，u0=ui；当uiUREF+UD(on)时，二极管导通， u0=UREF+UD(on)=3+0.7=3.7V，波形如图(e) 第四章 半导体二极管和晶体管 §4.1 半导体物理基础知识 §4.2 二极管 §4.3 晶体管 导体 半导体 绝缘体 物质 半导体的特性： 1．导电能力介于导体和绝缘体之间； 2．导电能力随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 硅和锗的原子结构简化模型 +4 价电子(Valence Electron) 硅、锗原子结构示意图 1.本征半导体的晶体结构 硅和锗的共价键结构示意图 2本征激发和两种载流子 本征激发产生空穴－电子对示意图 空穴：电子挣脱共价键 的束缚成为自由电子后 ，共价键中所留下的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对,统称载流子。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于数目很少，故导电性很差。 4.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。掺入的杂质主要是三价或五价元素。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 1. N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 能够在本征半导体中释放自由电子的杂质