第2章+薄膜的物理气相沉积I.pptVIP

定义：当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物的时候，物质的沉积将会产生阴影效应，即蒸发出来的物质将被障碍物阻挡而不能沉积在衬底上。 缺点： 阴影效应可能破坏薄膜沉积的均匀性； 薄膜的沉积将会受到蒸发源方向性的限制，造成有些部位没有物质沉积。 4、阴影效应 优点： 可以在蒸发沉积的时候，有目的地使用一些特定形状的掩膜(Mask)，从而实现薄膜的选择性沉积。 Si表面Al差指电极 ZnO薄膜表面Al差指电极 二、蒸发沉积薄膜的纯度 1、影响薄膜纯度的因素： 1）蒸发源的纯度； （使用高纯物质作为蒸发源） 2）加热装置、坩埚可能造成的污染； （改善实验装置） 3）真空系统中的残留气体。 （改善真空条件 ） 在沉积过程中，残余气体的分子和蒸发物质的原子将分别射向衬底，并同时沉积在衬底上。蒸发物质原子的沉积速率为 （2-15） 其量纲为原子数/cm2·s。其中ρ为沉积物质的密度，s为厚度沉积速度。 可求出气体杂质在沉积物中的浓度为 （2-16） 例：残余气体对蒸发薄膜的污染 其中MA和Mg分别为蒸发物质和残余气体的相对原子质量，p是残余气体的压力。 由杂质浓度 可以看出：沉积 物中杂质的含量与残余气体的压强成正比，与沉积的速 度成反比。 结论： 同一沉积速率，真空度越高，杂质含量越低； 同一真空度，沉积速率越大，杂质含量越低。 例如：在溅射法制备薄膜时，薄膜的沉积速度比蒸发法低一个数量级，而真空度要高5个数量级以上，故溅射法制备的薄膜纯度较蒸发法制备的纯度要低。 3 、制备高纯的薄膜材料要求： 1）改善沉积的真空条件 2）提高物质的蒸发以及薄膜的沉积速度 第三节 真空蒸发装置(Thermal Evaporation) 一、电阻式蒸发装置 二、电子束蒸发装置 三、电弧蒸发装置 四、激光蒸发装置 根据加热原理划分 一、电阻式蒸发装置 （Source） 一.电阻式加热装置对电阻材料的要求 能够在高温下使用且在高温下具有较低的蒸气压 不与被蒸发物质发生化学反应 无放气现象和其他污染 具有合适的电阻率 电阻式蒸发装置——目前使用最广泛的加热装置 1、将钨丝绕制成各种等直径或不等直径的螺旋状，即可作为加热源。 2、对于不能用钨丝装置加热的物质，采用难熔金属板制成的电阻加热装置。 3、高熔点氧化物、高温裂解BN、石墨、难熔金属等制成的坩埚也可以作为蒸发容器。 二.常用的电阻材料及作用 电阻材料：一般均是难熔金属，如W、Mo、Ta等等。 作用：做加热器或者支撑被加热物质 三. 电阻式加热方式 电阻式蒸发装置 电阻热蒸发镀膜设备 三. 电阻式加热局限性 坩埚、加热元件以及各种支撑部件可能造成污染； 电阻加热的加热功率和加热温度受到限制 不适用于高纯和难熔物质的蒸发 二、电子束 (Electron Beam)加热蒸发 发射电子束 加速（数千伏） 偏转（横向磁场） 轰击坩埚 薄膜沉积 ? 磁场偏转法的使用可以避免灯丝材料的蒸发对于沉积过程可能造成的污染。 优点： 1、能克服电阻加热方法可能受到坩埚，加热体以及各种支撑部件的污染的缺点。 2、能克服电阻加热方法受到加热功率或温度的限制。 3、在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得人们可以同时或分别对多种不同的材料进行蒸发。 缺点： 电子束能量的绝大部分要被坩埚的水冷系统所带走，因而其热效率较低。 典型应用： 1、纯金属、合金、氧化物材料 2、有机电致发光薄膜 电阻蒸发与电子蒸发复合镀膜设备 三、电弧蒸发装置 原理： 将欲蒸发的材料制成放电电极，在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积。 方法： 1、直流加热法 2、交流加热法 缺点： 在放电过程中容易产生微米量级大小的电极颗粒飞溅，从而会影响沉积薄膜的均匀性。 应用： 仿金装饰镀（TiN）、硬质膜（TiN/TiC） 四、激光蒸发(Laser Evaporation)装置 优点： 1、加热温度高，可避免坩埚污染 2、材料的蒸发速率高，蒸发过程容易控制 3、粒子能量一般显著高于其他的蒸发方法 4、适用于蒸发成分比较复杂的合金或化合物材料（如YBCO） 要求： 昂贵的准分子激光器，需要采用特殊的窗口材料将激光束引入真空室中，并要使用透凹面镜等将激光束聚焦至被蒸发的材料上。针对不同波长的激光束，