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NBTI的机制 －空穴被吸引到SiO2 /Si界面 －弱化了Si－H键导致键断裂 －氢(H)扩散进入氧化层或者体Si中 如果H进入体Si会钝化硼离子 －留下界面陷阱(Dit) 界面陷阱电荷 类受主：负电荷(平带条件) 类施主：正电荷(反型条件) 阈值电压变化估算 －Nit和Nf ?1010 cm-2；0.1 x 1.0 ?m栅面积(A=10-9 cm2) = 存在10个界面陷阱和10个氧化层陷阱 = ?VT －对tox＝5nm ＝ ?VT ? -5mV ?VT = -50mV(器件失效) ＝ ? Nit=?Nf=1011 cm-2 －对模拟差分电路，一个MOSFET ?VT ? -10mV而另一个?VT ? -25mV，则二者差15mV占VT＝-0.3 V ＝ 5％的不匹配。而高性能模拟器件对要求0.1%到0.01%的不匹配冗余度 反应－扩散模型 －空穴和Si－H键作用 －空穴弱化Si－H键 －升温器件下Si－H键断裂 －初始阶段 Dit产生 取决于 Si－H键断裂速率 －以后 Dit产生 取决于 H扩散速率 反应－扩散模型 氢模型 －氢从Si衬底漂移进入SiO2/Si界面 －靠近或在 SiO2/Si界面处的H0俘获一个空穴 ＝ H+ －H＋断裂Si－H键 ＝ Dit和H2 －一些H＋漂移进入SiO2 ＝ Not 器件影响因素 L依赖关系 长沟：n～2；短沟：n～1 因此长沟退化更严重 ID依赖关系 由于存在n，ID,sat比ID,lin退化更严重 器件影响因素 tox依赖关系 随着尺寸下降，tox?；VG－VT ? 因此同样VT下薄氧化层退化更严重 ?eff依赖关系 同样VT下，tox ?且?Dit? ＝ ?eff ? 因此薄氧化层的迁移率退化更严重 对电路的影响 CMOS反相器的退化 在静态应力过程中，pMOS的NBTI退化起主要作用 * 北京大学微电子研究院 * NBTI：物理、材料、电路问题和表征技术 负偏压温度不稳定性 Negative Biase Temperature Instability －NBTI概述 －测量方法 －物理机制 －电路问题 －影响因素 氢、氮、水、氟、氘、硼 应力条件 NBTI概述 －问题主要出现在pMOSFET的反型工作状态 －相对与源漏、衬底的负栅压；越负引起退化越严重 VDD VDD VG=0 －器件参数(VT, Gm, IdLin, IdSAT等)随NBTI时间漂移：不稳定性 －更高的偏压和温度产生影响越大 －SiON薄膜中问题更严重 －目前最严重的可靠性问题 NBTI应力引起器件退化 Yamamoto, TED 1999 ID减小 产生正电荷 VT负向漂移 增加了BTBT电流 压阈摆幅退化 NBTI应力条件 －负栅压或者升温会分别导致NBTI，二者的共同影响会更强和更迅速 氧化层电场通常低于6 MV/cm 应力温度：100～250oC 漏电流、跨导下降和关态电流上升 阈值电压绝对值增加 －高性能IC正常工作条件会接近 这样的电场和温度 器件寿命的限制 NBTI已成为当前和未来工艺的主要可靠性问题 驱动能力 Cgd增加 延迟时间，td NBTI 阈值电压，VT 跨导，gm 压阈摆幅，S 迁移率，?eff 漏电流，ID,lin，ID,sat 器件特性 电路影响 界面陷阱，Dit 氧化层电荷，Not 物理机制 最早的NBTI 1976年，早期MOS器件研制过程就发现了负栅压下产生了固定电荷和界面态 典型的NBTI 界面陷阱Dit和正氧化层电荷Not的产生速率相近 MOSFET特性 －漏电流依赖于 尺寸：W，L，Cox 迁移率：?eff 电压：VG，VD，VT －延迟时间：td 改变超过一定限度 失效 阈值电压和跨导 电荷泵电流Icp ? 界面陷阱Dit 跨导gm ? ?eff ~ Dit NBTI测量方法 测量延迟问题 102 101 100 10-1 103 109 105 107 101 Time (sec) VT Shift (mV) 延迟 – 恢复, 最初时间恢复非常快 无延迟 – 真正指数关系 True Exponent Apparent exponent 常规方法得到下包线 – 更高的指数系数 测量延迟问题 IDLIN 测量 测量延迟越大更多的恢复而且更大的效率 Varghese, IEDM 2005 Stress Measurement -VG (M) -VG (S) M-time ‘On-the-fly’ 测量 方法: |Vg| Stress Time |Vd| 25mV Id Id(n-1) Id(n) Stress 与传统方法的比较 ?V