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附件3 新余高等专科学校毕业设计（论文）书写式样 一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 三、摘要 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗， 英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。 四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。 五、图表：图表内容五号宋体。 六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。 七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。 八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4纸单面打印。 九、毕业设计（论文）的装订、归档 ⑴ 毕业设计（论文）的装订顺序为：①封面；（请到教务处网站下载学校统一封面）②中文题目、摘要、关健词；③英文题目、摘要、关健词；④目录；⑤正文；⑥参考文献；⑦致谢。 ⑵毕业设计（论文）的资料归档内容为：①已装订成册的毕业设计（论文）文本；②毕业设计（论文）过程管理手册；③学生参加生产实习的日记，实习技术报告，实习单位的鉴定、评价意见等材料；④学生毕业设计（论文）收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计（论文）的资料袋中；毕业设计（论文）的资料袋由教务处统一发放。（资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然后贴在资料袋上）。 具体书写式样如下： 1、目录式样 目 录 摘要　………………………………………………………………………………………1 Abstract ……………………………………………………………………………………2 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………………………1 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………………………1 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………1 1.1.2 III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………3 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 …………………………………………4 1. 3 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………………12 1. 4 氮化物材料的制备 …………………………………………………………13 1. 5 氮化物器件 ……………………………………………………………… 19 1. 7 本论文工作的内容与安排 ……………………………………………… 24 第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 …………………………………………31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 …………………………………………32 结论 ……………………………………………………………………………………… 136 参考文献（References）……………………………………………………………………138 致谢 ……………………………………………………………………………………… 150 2、摘要式样 （1）中文摘要式样 III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 LED外延片的MOCVD生长和性质研究 摘 要 宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。 本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化