- 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
毕业论文书写样式36756.doc
附件3
新余高等专科学校毕业设计(论文)书写式样
一、页面设置:上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉设置为:居中,页眉之下划一条线,用5号字宋体,页眉用论文的名字;页脚设置为:插入页码,页码为阿拉伯数字,居中,5号字宋体。
二、目录:“目录”两字小三号宋体加粗,目录内容小四号宋体。
三、摘要
中文摘要:标题小二号宋体加粗,“摘要”两字四号宋体,摘要内容小四号宋体,“关键词”三字小四号宋体加粗,
英文摘要:标题小二号Times New Roman 体加粗,“Abstract” 四号Times New Roman 体;“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体,“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。
四、正文:标题四号宋体,正文内容小四号宋体,行间距1.5倍,。
五、图表:图表内容五号宋体。
六、参考文献:参考文献用四号宋体,参考文献内容小四号宋体,其中英文用小四号Times New Roman 体。
七、致谢:致谢两字四号宋体,致谢内容小四号宋体。
八、打印要求:论文封皮封底用浅色皮纹纸打印,论文正文(设计说明书)应使用A4纸单面打印。
九、毕业设计(论文)的装订、归档
⑴ 毕业设计(论文)的装订顺序为:①封面;(请到教务处网站下载学校统一封面)②中文题目、摘要、关健词;③英文题目、摘要、关健词;④目录;⑤正文;⑥参考文献;⑦致谢。
⑵毕业设计(论文)的资料归档内容为:①已装订成册的毕业设计(论文)文本;②毕业设计(论文)过程管理手册;③学生参加生产实习的日记,实习技术报告,实习单位的鉴定、评价意见等材料;④学生毕业设计(论文)收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计(论文)的资料袋中;毕业设计(论文)的资料袋由教务处统一发放。(资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然后贴在资料袋上)。
具体书写式样如下:
1、目录式样
目 录
摘要 ………………………………………………………………………………………1
Abstract ……………………………………………………………………………………2
GaN基半导体材料及器件进展(多数文章为“绪论”)…………………………1
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………………………1
1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………1
1.1.2 III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………3
1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 …………………………………………4
1. 3 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………………12
1. 4 氮化物材料的制备 …………………………………………………………13
1. 5 氮化物器件 ……………………………………………………………… 19
1. 7 本论文工作的内容与安排 ……………………………………………… 24
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 …………………………………………31
2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 …………………………………………32
结论 ……………………………………………………………………………………… 136
参考文献(References)……………………………………………………………………138
致谢 ……………………………………………………………………………………… 150
2、摘要式样
(1)中文摘要式样
III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光
LED外延片的MOCVD生长和性质研究
摘 要
宽禁带III-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来,美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术,并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此,这项高技术仍处于高度保密状态,材料生长的关键思想及核心技术仍未公开,还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的,旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题,为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III-Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究,对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构,生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化
您可能关注的文档
最近下载
- 组织行为学南开.pptx VIP
- 西北工业大学材料科学基础考研真题及答案.pdf VIP
- 眼科学课件:斜视与弱视.ppt
- 2023年不锈钢管行业市场需求分析报告及未来五至十年行业预测报告.pdf
- 中兴C600 详细资料-ZXA10 C6xx常用命令.docx
- 三 《微写作•表达观点》(教学课件)-【中职专用】高二语文同步精品课堂(高教版2023·职业模块).pptx VIP
- 人教版(2024)英语七年级上册全册教案.DOCX VIP
- [杭州]2023年下半年浙江杭州市上城区编外特定岗位工作人员招聘22人笔试历年高频考点(难、易错点)附带答案详解.docx
- 新世纪研究生英语教材新世纪研究生公共英语教材阅读C课文译文(正确版...pdf VIP
- 安徽省医疗机构药师职业技能大赛模拟试题-3.doc VIP
文档评论(0)