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掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响。 思考题 二、二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 U/V 根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，U 为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。 1、正向特性 当U＞0即处于正向特性区域，正向区又分为两段： 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压，管子截止 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。管子导通 U/V U 硅二极管的死区电压约为：Uth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压约为：Uth=0.1 V左右。 U/V U 2、反向特性 当U＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： ①当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 ②当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。这个特性也称反向击穿特性。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|UBR|≤4V时, 则主要是齐纳击穿。当在4V-7V之间两种击穿都有，有