半导体物理与器件第六章1答案.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 导带电子和价带空穴系统具有统一的费米能级EF 外界作用（如光照等）可以改变半导体的热平衡状态，使其处于非平衡状态，载流子浓度比平衡时多（ 少）一部分，称为非平衡载流子或过剩载流子 非平衡过剩载流子的产生与复合的机理 非平衡过剩载流子的寿命 在存在漂移和扩散运动时，非平衡过剩载流子的时空分布特性分析——连续性方程 连续性方程的应用 本章主要内容 非平衡载过剩流子的产生、复合、寿命（6.1 6.5） 表面效应 表面复合（6.6） 准费米能级（6.4） 过剩载流子的性质-连续性方程（6.2） 连续性方程的深入-过剩载流子的双极输运方程 及应用（6.3） 6.1 载流子的产生与复合 产生率与导带中的空状态密度Nc以及价带中相应的电子占据状态密度成正比，对非简并半导体，因电子和空穴浓度与导带和价带的状态密度相比非常小，因而电子和空穴密度几乎不影响产生率 复合率与电子空穴的浓度成正比 对非热平衡半导体 从示波器上观测到的半导体上电压降的变化直接反映了附加电导率的变化，间接地检验了非平衡载流子的变化。 在t=0时无光照， ?Vr=0 ，即?p =?n=0 t0时，无光照，处于热平衡，此时 t0时，由于由于G R，故过剩载流子浓度由 零不断增加，由此将引起过剩载流子的复合 ttc时，光照撤除，过剩载流子产生率为零，此时， §5.1 §5.2 非平衡载流子的注入、复合、寿命 例如 非平衡载流子衰减到初值的1/e(36.8%)所经历的时间就是寿命τ 小结 直接复合下，过剩载流子寿命（也简称少子寿命）τ特性： 寿命大小首先取决于复合系数αr，该参数与材料特性有关 其次与热平衡载流子浓度有关 再次与非平衡载流子注入有关，在小注入下基本为常数 说明对Si、Ge，直接复合不是主要的复合机制，还存在其他复合机制 而实验发现，半导体中杂质越多、晶格缺陷越多，寿命就越短，即杂质和缺陷有促进复合的作用。这就是间接复合。 6.5 过剩载流子的寿命（间接复合） 间接复合：通过杂质或缺陷能级Et进行的复合 复合中心：能够促进复合过程的杂质或缺陷 复合中心能级Et处于禁带中，电子与空穴复合时可分为两步进行： 过程1：定义单位时间、单位体积，复合中心Et 从导带俘获的电子数为电子俘获率。 过程2：单位时间、单位体积复合中心Et 向导带发射的电子数为电子发射率。 在Et为稳定的复合中心时，其能级上电子数量保持不变，即：1+4=2+3 在强n型区，对过剩载流子寿命起决定作用的是复合中心对少数载流子（空穴）的俘获系数Cp ，而与多数载流子（电子） 俘获系数Cn无关。同样其复合率也由少子参数决定。 同理可分析p型半导体，强p型时： 本征半导体中的过剩载流子的寿命（例6.8） 6.6 表面效应（表面复合） 在实际的半导体器件中，半导体材料不可能是无穷大的，总有一定的边界，在边界处会表现出与体内不同的物理效应，即表面效应。表面效应对半导体器件，如MOS器件，具有非常重要的影响。 表面态是一种重要的表面效应 当一块半导体突然被中止时，表面理想的周期性晶格发生中断，出现悬挂键（缺陷），导致禁带中出现电子态（能级），该电子态称为表面态，呈现为分立的能级。表面态将导致表面复合 表面处的杂质和表面特有的表面态在禁带中形成复合能级，所以就复合机理看，表面复合仍然属于间接复合。 SRH理论表明，过剩少数载流子的寿命反比于复合中心的密度，由于表面复合中心的密度远远大于体内复合中心的密度，因此表面过剩少数载流子的寿命要远低于体内过剩少数载流子的寿命。 例如对于N型半导体材料，其体内过剩载流子的复合率为： 6.4 准费米能级 热平衡的形成： 热平衡状态是通过热跃迁达成的。由于能带范围内热跃迁非常频繁，极短时间内就能达到热平衡。与此相反，能带之间的热平衡由于跃迁稀少，而达成热平衡速度缓慢。 在没有外界作用时，系统最终达到带内和带间平衡，系统遵循费米分布，表现为具有统一的费米能级EF。 非平衡时，导带费米能级和价带费米能级均为局部的能级，称为准费米能级。 所以电子准费米能级 比 更靠近导带，但偏离 较小 EFn和EFp偏离的大小反映 n·p 和 ni2 相差的程度，即半导体偏离热平衡状态的程度 费米能级分裂为准费米能级表明器件处于非平衡状态 热平衡状态下，两对互逆过程相互抵消： 所以： 电子的发射率（过程2）＝电子的俘获率（过程1） 空穴的发射率（过程4）＝空穴的俘获率（过程3） 的表达式，可分别求得： 电子发射率 空穴发射率 用复合参数表征产生参数 ②非平衡状态下，载流子的复合率和寿命 在Et上积累电子的过程为：1+4 2 1 3 4 在Et上减少电子的过程为：2+3 所以在稳定时有：1-2=3-4 上式表明：导带电