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使用一种单一喷雾液的超声喷雾热解法制备SnSe和SnSe2Jorge Sergio Narro-Rios, Manoj Ramachandran, Dalia Martinez-Escobar, Aaron Sanchez-JuarezCentro de investigacion en Energia, UNAM, P. O. Box 34, 62580 Temixco, Morelos, Mexico摘要：SnSe和SnSe2的薄膜已经使用超声喷雾热解（USP）技术制备。据我们所知，这是使用一种单一喷雾液制备SnSe和SnSe2薄膜的首次报道。为了同时得到一种P型材料SnSe和一种N型材料SnSe2，采取只使用一种单一喷雾溶液的方法，这一应用简化了制备技术。SnSe2薄膜有1.1电子伏特的带隙而SnSe薄膜则有0.9电子伏特的带隙。霍尔测量被用来确定薄膜的电阻率。SnSe薄膜显现出36.73的电阻率和N型传导性，而SnSe2薄膜显现出180的电阻率和P型传导性。关键词：SnSe； SnSe2；超声喷雾热解法DOI：10.1088/1674-4926/34/1/013001中图分类号：25201引言硒化锡（SnSe）和二硒化锡（SnSe2）是太用能电池应用方面很有前景的候选材料。一个好的光伏材料应具有1到2电子伏特的带隙。同样重要的是，材料的组成元素要很丰富而且廉价易得。锡化物因其有趣的电子和光学性质，已经引起了研究人员的关注。硒化锡是一种的P型半导体，它带有一个狭窄的接近1电子伏特的带隙。这是一种IV-VI族化合物，它们的结晶属于正交晶系。SnSe也已经被研究用于其它各种应用，如记忆开关器件，全息记录系统以及作为负极材料来提高锂离子的扩散系数。二硒化锡是一种n型半导体，它的带隙在1电子伏特附近。SnSe2是一种以强结合二维Sn-Se-Sn三明治为特征的六方CdI2型晶体结构，这是以范德瓦尔斯力弱耦合的。SnSe2有许多种不同晶体组成的多型，其中最常见的是2H和18R型。使用薄膜代替散装材料制作器件有助于减少形成器件所需的材料。这反过来又降低了成本，也开辟了材料的新应用。SnSe薄膜已经通过热蒸发沉积，电沉积，化学浴沉积，脉冲激光冲击沉积，化学气相沉积和喷雾热解法制备得到了。在目前的工作中，我们报告用超声喷雾热解法（USP）制备SnSe和SnSe2薄膜的结果。USP是一项利用在仪表方面使用相对较低成本以及廉价化学品的简单技术。在喷雾热解（SP）的沉积过程中，当液滴接近基板以及溶剂完全蒸发掉时得到理想的沉积条件。既然分解温度取决于液滴的尺寸，每当产生一个非均匀的液滴，依据液滴的质量其热行为也会改变。沉积过程也从而受液滴大小的差异影响。在超声喷雾热解中，超声波发生器产生一个由溶液表面上几微米大小的液滴组成的喷雾剂。这些液滴快速加热不仅催使溶剂均匀蒸发，加热并随后使前驱体分解，还使起始化合物之间起化学反应。因此在超声喷雾热解中，由于细小液滴的产生，制备得到的薄膜质量会提高。对之前的溶液进行超声搅拌确保溶液中的组成要素均匀地混合在溶液中。由于均化作用发生在分子水平，所以真实的溶液在USP中雾化。当我们能够使用一个复杂成分的前驱体并完成沉淀时，使用USP制备多组分的薄膜制备会很简单。USP是一种非真空制备薄膜的技术，这就意味着它是一种成本有效的方法。将喷雾制备技术集成于玻璃制造工业非常简单。因为玻璃是在高温下制造并且需要很长的一段时间缓慢冷却，所以沉淀可以在一个适当的温度下进行同时不需要任何额外的能量被消耗用于加热基板。现在操作的创新之处在于SnSe和SnSe2都是使用在玻璃基板上的一种简单溶液（1:1比例的锡和硒源）制备得到。使用一种单一起始溶液来同时得到P型和N型半导体使得浓缩溶液时更容易操作沉淀物。这项技术的独特特征是，相同的溶液可以仅通过改变沉积温度制备不同化合物的薄膜。据作者所知，这是第一篇关于超声喷雾热图1.超声喷雾热解法制备SnSe2和SnSe薄膜的装置解（USP）通过相同的溶液制备P型薄膜SnSe和N型薄膜SnSe2的报告。图2.通过表面纳米化得出的（a）SnSe2薄膜的XRD图形（b）SnSe薄膜的XRD图形2实验硒化锡（SnSe）和二硒化锡（SnSe2）已经使用超声喷雾热解法在非导电的玻璃基板上沉淀得到。稀释在蒸馏水中的浓度为5%的SnCl2溶液和5%的N-N二甲基硒脲溶液被分别用来作为锡和硒原子分别稀释前体。内部建立了的USP装置被用来制备薄膜。一种装置示意图如图1所示。一个1.7MHz频率的商业雾化器被用来作为超声源来从前体溶液中制造细小的水雾。雾化器产生1-5微米大小的颗粒。使用氩气作为载气。在雾化器中产生的薄雾被转移进在锡浴加热的基板上的封闭室内。另一个氩气喷嘴用于引导雾流从雾化器流到基板上。两个流的流动进