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00 模拟习题及答案一、填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1~0.2 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_ 0.3 _V。 2、二极管的正向电阻 很小 ；反向电阻 很大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 线流电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 变宽 。PN具有单向导电性 特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值 0.7伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 电子 、本征半导体的载流子为 自由电子和空穴 。 10、因掺入杂