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- 2016-12-05 发布于重庆
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第2版學习思考及章后习题解析
1.1 检验学习结果
1、什么是本征激发?什么是复合?少数载流子和多数载流子是如何产生的?
答:由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发半导体导电机理和导体的导电机理有区别?结构完全对称本征半导体。由于N型半导体中多数载流子是电子,因此说这种半导体是带负电的。这种说法正确吗?
答:电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿,前者是一种碰撞的击穿,后者属于场效应的击穿,这两种电击穿一般可逆,不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流?何谓漂移电流?何谓PN结的正向偏置和反向偏置?说说PN结性何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?为何会出现死区电压?
当正向电压时,外加电压的电场还不克服PN结的内电场的阻二极管呈现高阻,通过二极管的正向电流几乎为零基本上处于截止状态,这段区域通常称为死区。为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性?当环境温度升高时又会明显增大?
把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端,会出现什么问题?
.5V干电池串一个约1k?的电阻,并使二极管按正向接法与电阻相连接,使二极管正向导通。如果测量时直接把1.5V的干电池正向到二极管的两端,使中电流过大而损坏?半导体二极管?理想二极管电路如图所示。已知输入电压ui=10sinωtV,试画出输出电压u的波形。答: (a)图:图中二极管若看作理想二极管,当输入正弦波电压低于-5V时,二极管D导通
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