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电子元器件 基本电子元件 一、电阻器 二、 电容器 三、保险 四、电感线圈 五、集成电路 六、组件 电阻器 电阻器是对电流流动具有一定阻抗力的器件，用字母R表示。单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。电阻种类繁多，是电子电路中应用最多的元器件之一，它可以调控电路中的电流和电压大小。 1MΩ=1000KΩ 1KΩ=1000Ω 电阻的型号命名 有四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 用字母表示，R表示电阻 W表示电位器 第二部分：材料 用字母表示，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类 一般用数字表示，9-特殊、8-高压、7-精密、5-高温、4-高阻、3-超高频、1-普通、G-高功率、T-可调 第四部分：序号 表示同类产品中不同品种，以区分产品的外形尺寸和性能指标。 电阻器的分类 1、线绕电阻器 2、薄膜电阻器 3、实心电阻器 4、敏感电阻器 电阻器阻值标示方法 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值。 2、数码法：在电阻器上用三位数码标示标称值。数码从左到右，第一、第二为有效值，第三位指数（零的个数）单位为欧姆。如：电阻上标明473，那么阻值为47000Ω 3、色标法：用不同颜色的环或点在电阻器表面标出阻值和允许偏差。当电阻为四环时，最后一位必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。 电容器 电容器简称电容，字母符号为C，是常用电子元器件之一，常用于振荡电路，调谐电路，滤波电路和旁路电路中。电容器的基本结构是两块靠得很近，但彼此绝缘的极板。 表在电容器表面的容量及电容器的标称容量，单位是法(F).常用的单位有以下几种：毫法（mF）、纳法（nF）、微法（uF）、皮法（pF） 电容器根据其结构可分为固定电容器，可变电容器和半可变电容器；根据其介质材料科分为极性电容器和无极性电容器。常用电容器的结构示意图和图形符号如下 电容器容量标示 1、直标法：用数字和单位符号直接标出。 如：01uF标示0.01微法，有些电容用“R”标示小数点 如：R56标示0.56微法。 有些电容直接表出容值，如：220uF/4V 2、文字符号法：用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。 如：P10表示0.1pF 2u2表示2.2uF 耐压：耐压是指电容器在电路中长期有效地工作而不被击穿所能承受的最大直流电压。在交流电压中，电容器的耐压值应大于电压的峰值，否则，电容器可能被击穿。耐压的大小与介质材料有关。 电感线圈 电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利（H）、毫亨利（mH）、微亨利（uH）， 1H=10Λ3mH=10Λ6uH。 电感的分类 按电感形式分类：固定电感、可变带能干。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按工作性质分类： 天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按绕线结构分类： 单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 基本电子元件 在同一块硅片或锗片上进行掺杂工艺处理，使其一部分是型半导体，另一部分是P型半导体，则在两部分的分界面处就会形成一个特殊的空间电荷区————PN结。PN结只能使电流单方向导通，且导通方向是从P型半导体到N型半导体，即P到N导通。PN结正向导通，反向截止，具有单向导电的特性。 N型半导体：在硅晶体中掺入五价磷元素形成。自由电子为多子，空穴为少子。 P型半导体：在硅晶体中掺入三价硼元素形成。空穴为多子，自由电子为少子。 晶体二极管由一个PN结，两条电极引线和管壳构成。在PN结的两侧用导线引出加以封装，就是晶体二极管。晶体二极管的字母符号为V。 二极管的种类与用途 晶体二极管按材料分，有硅二极管和锗二极管。在二极管导通时，通过二极管的电流大小可能有较大变化，但二极管两端的电压近于定值。普通硅材料二极管的导通电压约0.6V，普通锗材料二极管的导通电压约0.2V。 二极管的品种繁多，有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管、发光二极管、激光二极管等。广泛应用与交流、直流的转换、电源的稳压、光电的检测、光电的耦合、放光的耦合、发光指示、光电显示等。