第06章刻蚀资料.pptVIP

刻蚀多晶硅步骤 1. 第一步是预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层（如SiON）和表面污染物来获得均匀的刻蚀（这减少了刻蚀中作为微掩蔽层的污染物带来的表面缺陷。 2. 接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。 3. 最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留物和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽（小槽形成）。 在多晶硅栅刻蚀中不期望的微槽 衬底 多晶 光刻胶 栅氧化层 离子 栅氧化硅中的沟槽 硅槽的刻蚀 Si+4F*?SiF4? SiO2+4F*?SiF4? +O2? Si3N4+12F*?3SiF4? +2N2? 硅、Si3N4和SiO2刻蚀 CF4中添加少量O2可增加对Si， SiO2和Si3N4的腐蚀速率 10%O2可获得最大的Si/SiO2刻蚀比 在CF4中加入少量H2，可使CFx：F*的浓度比增加。 从而使SiO2:Si及Si3N4：Si的腐蚀速率比增大 增加F/C比（加氧气），可以增加刻蚀速率 减少F/C比（加氢气），刻蚀过程倾向于形成高分子膜 金属刻蚀的主要要求 1. 高刻蚀速率 (大于1000 nm/min). 2. 对下面层的高选择比，对掩蔽层 (大于4:1), 和层间介质层 (大于20:1). 3. 高