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第9章 电力电子技术 9.1电力半导体器件 常用的电力半导体器件按控制方式来分类： 不可控器件 半可控器件 全可控器件。 不可控器件 整流二极管 快速恢复二极管 肖特基二极管 半可控器件 普通晶闸管 高频晶闸管 双向晶闸管 光控晶闸管 全可控器件 功率晶体管（BJT） 功率场效应管（Power MOSFET） 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 静电感应晶体管（SFT） 可关断晶闸管（GTO） 静电感应晶闸管（SITH） 9.1.1 晶闸管 晶闸管（thyristor）是硅晶体闸流管的简称，是一种大功率半可控元件，俗称可控硅（silicon controlled rectifier，简称SCR）。晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用 。 晶闸管的结构 晶闸管是三端（阳极A、阴极K、门极G）四层半导体开关器件 晶闸管的工作原理 （1）晶闸管的导通条件。在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的门极和阴极同也加正向电压，两者缺一不可。 （2）晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，因此门极所加的触发电压一般为脉冲电压。晶闸管从阻断变为导通的过程称为触发导通。 （3）晶闸管的关断条件。使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流IH。维持电流IH是保持晶闸管导通的最小电流。 晶闸管的伏安特性 晶闸管的主要参数 （1）额定电压UR 通常按照电路中晶闸管正