霍尔效应与电阻测量资料.pptVIP

霍尔效应及磁电阻测量 1 霍尔效应 霍尔效应的应用 测量载流子浓度 判断半导体类型 测量磁场强度 测量地磁场 电信号转换及运算 设计磁流体发电机 测量电流强度 测量微小位移 　　德国物理学家冯·克利青等在二维体系 的霍尔效应实验中，多次研究在处于极低温度 1.5K 和强磁场18T 的作用下，发现了一个与 经典霍尔效应完全不同的现象: 霍尔电阻R H 随磁场的变化出现了一系列量子化电阻平台, 这些平台电阻为　　,这种现象称为整数量 子霍尔效应。 Stormer, Horst L. 　　崔琦、施特默和劳克林在比整数量子霍尔 效应更低的温度0.1K 和更强的磁场20T条件 下,对具有高迁移率的更纯净的二维电子气系统 样品的测量中,也在一些电阻和温度范围内观测 到横向霍尔电阻呈现平台而同时纵向电阻减小 到零的现象,但不同的是,这些平台对应的不是 整数值,而是分数值,称为分数量子霍尔效应。 　　磁电阻效应MR是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。表征磁电阻效应大小的物理量为MR，其定义为： 　　　正常磁电阻效应来源于磁场对电子的洛仑兹力,导致载流子运动发生偏转或产生螺旋运动,使电子碰撞几率增加,电阻增大. 　　如果电子运动的速度V V0 时,电子将沿着 洛仑兹力作用的方向偏转, 使沿着外电场方向的 电流密度减小,即由于磁场的存在而增加了电阻, 　　　在铁磁性物质中,当