位移与转速测量(经典版).ppt

9.2.2 磁电式转速计 29 a）线速度型 b）角速度型 线速度型 角速度型 9.2.2 磁电式转速计 30 测量电路 传感器输出电压 注意：上面所讨论的速度指的是线圈与磁场（壳体）的相对速度，而不是壳体本身的绝对速度。 9.2.2 磁电式转速计 31 2．磁阻式 工作原理：一般通过改变传感器到被测对象间的气隙厚度等方法来改变磁路磁阻。 a）测频数 b）测转速 c）偏心测量 d）振动测量 32 9.2.3 转速脉冲测量方法 33 9.2.3 转速脉冲测量方法 谢 谢！ * 忽略铁芯、衔铁磁阻，磁阻约等于空气隙磁阻。L=W*W/Rm，Rm=2δ/μA 思考：怎样测量流量、压力和振动？ Xi’an Jiaotong University * 位移与转速的测量 位移测量 第9章 位移与转速测量 9.1 电感式位移计 电阻式位移计 9.1.1 转速测量 光电式转速计 磁电式转速计 转速脉冲测量方法 9.2 9.1.2 9.2.1 9.2.2 9.2.3 1 9.1 位移测量 位移 2 9.1 位移测量 同位素传感器（用同位素辐射反映位移S) 互感式传感器（用感应电势e反映位移S） 电阻式位移计（用电阻变化量反映位移S） 电感式位移计（用电感变化量△L反映位移S） 电容式传感器（用电容变化量△C反映位移S） 位移常用测量方法 下面介绍应用较广泛的两种传感器：电阻式位移计和电感式位移计 9.1.1 电阻式位移计 3 电阻式位移计是一种把被测量转换为电阻变化的传感器。按其工作原理可分为变阻器式和电阻应变式两类。 1．变阻器式位移计 a）直线位移型 b）角位移型 c）非线性型 4 变阻器式位移计通过改变电位器触头位置，实现将位移转换为电阻的变化。其表达式为 ： ▲直线位移型 灵敏度 ▲角位移型 灵敏度 9.1.1 电阻式位移计 5 ▲非线性型 为了使输出电阻值 与 呈线性关系，变阻器骨架应做成直角三角形。 变阻器骨架应做成抛物线形。 变阻器式传感器的后接电路一般采用电阻分压电路。 优点：结构简单、性能稳定、使用方便。 缺点：分辨力不高，因为受到电阻丝直径的限制。 9.1.1 电阻式位移计 6 应用：用于线位移、角位移测量，在测量仪器中用于伺服记录仪器或电子电位差计等。 2．电阻应变式传感器 电阻应变式传感器可分为金属电阻应变片式与半导体应变片式两类。 工作原理：应变片发生机械变形时，其电阻值发生变化。 金属丝电阻应变片 1—电阻丝 2—基片 3一覆盖层 4—引出线 9.1.1 电阻式位移计 7 金属箔式应变片 电阻丝的电阻值 电阻丝即随同物体一起变形，其电阻值发生相应变化 或 9.1.1 电阻式位移计 8 ——是由电阻丝几何尺寸改变所引起的，对于同一种材料，项是常数。 项则是由于电阻丝的电阻率随应变的改变而引起的，对于金属丝来说，是很小的，可忽略。上式可简化为 灵敏度 9.1.1 电阻式位移计 9 一般市售电阻应变片的标准阻值有60Ω、120Ω、350Ω、600Ω和1000Ω等。其中以120Ω最为常用。应变片的尺寸可根据使用要求来选定。 优点：体积小、动态响应快、测量精确度高、使用简便等。 应用：用于应变、力、位移、加速度、扭矩等参数的测量。 缺点：温度稳定性能差，在较大应变作用下，非线性误差大等。 半导体应变片 1—胶膜衬底 2—P-Si 3—内引线 4—焊接板 5—外引线 9.1.1 电阻式位移计 10 工作原理:是基于半导体材料的压阻效应。 压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时，原子点阵排列规律发生变化，导致载流子迁移率及载流子浓度的变化，从而引起电阻率 变化的现象。 在电阻相对变化的表达式中， 项是由几何尺寸变化引起的， 是由于电阻率变化而引起的。对半导体而言， 项远远大于 项，它是半导体应变片的主要部分，故电阻相对变化的表达式可简化为 灵敏度 9.1.1 电阻式位移计 11 优点：灵敏度高，机械滞后小、横向效应小、体积小等特点。 缺点：温度稳定性能差、灵敏度离散度大，非线性误差大等。 应用：用于压力、加速度等参数的测量。 电阻应变式传感器有以下两种应用方式： 1)直接用来测定结构的应变或应力。 2）将应变片贴于弹性元件上，作为测量力、位移、压力、加速度等物理参数的传感器。 3．固态压阻式传感器 工作原理:是基于半导体材料的电阻效应。 9.1.1 电阻式位移计 12 固态压阻式传感器是以单晶硅为基底材料，按一定晶向将P型杂质扩散到N型硅底层上，形成一层