§4.2电子和空穴的统计分布概要.ppt

锗和硅的有效能级密度（ 300 K） * * §4.2 电子和空穴的统计分布 一. 费密分布函数 半导体中的电子服从费密 —— 狄拉克统计 —— 在金属中，电子填充空带的部分形成导带，相应的费 密能级位于导带中 —— 对于掺杂不太多的半导体，热平衡下，施主电子激发 到导带中，同时价带中还有少量的空穴 —— 半导体中电子的费密能级位于带隙之中 且有 电子在导带各能级分布的几率 半导体中费密能级位于带隙之中 —— 导带中的电子接近经典 玻耳兹曼分布 —— 导带中每个能级上电子 的平均占据数很小 价带中空穴占据的几率 —— 能级不被电子占据的几率 应用 —— 空穴占据状态的E越低(电子的能量)，空穴的能量越高，空穴平均占据数越小(电子占据数越大) —— 半导体中的导带能级和价带能级远离费密能级 —— 导带接近于空的，价带接近于满带 图4-5 不同温度的费密分布函数，其中a: T=0; b: kBT=1; c: kBT=2.5 二．平衡态下的载流子浓度 导带底附近的能量 满带顶附近的能量 ， 导带中电子的浓度 令 —— 有效能级密度 导带电子浓度 —— 单位体积中导电电子数就是如同导带底 处的 个 能级所应含有的电子数 空穴浓度 —— 温