四通阀测试报告.docVIP

顺 德 和 而 泰 电 子 科 技 有 限 公 司 第1页 共5页 测试类别 (电子元器件 □整机测试 □其它测试 测试项目 变频空调IGBT测试 测试依据 测试部门 顺德和而泰品质管控部 IGBT测试 编制: 审核: 批准: 样品资料 测试形式 常规测试 测试制作 测试人 测试等级 测试结果 测试日期 顺 德 和 而 泰 电 子 科 技 有 限 公 司 IGBT 测试标准 IGBT 测试主要包括电气参数测试、环境条件测试、不同品牌IGBT对比测试 电气参数测试： 电气参数测试包含静态参数测试和动态参数测试： 静态参数测试即在IGBT结温为25C?时进行测试，此时IGBT工作在非开关状态； 动态参数测试，即在IGBT模块结温为125C?时进行测试，此时IGBT工作在开关状态。 一、静态参数的测试 1. 栅极一发射极阀值电压的测试 电路说明和要求: Gl、G2:可调直流电压源; Vl、V2:直流电压表; A:直流电流表; DUT:被测量的IGBT(下同)。 测量程序:调解电压源G2至规定的集电极—发射极电压(15V); 调节电压源Gl，从零开始逐渐增加栅极一发射极间的电压。 当电流表A显示出规定的集电极电流 值(()CEONprotCCoff VIVE)时，电压表Vl的显示值即为被测器件的栅极一发射极阀值电压。 2. 集电极—发射极截止电流的测试 在规定条件下，测量器件的栅极—发射极短路时集电极—发射极截止电流CESI，原理电路如图2所示 电路要求和说明: G:可调直流电压源; V:高阻抗直流电压表; A:直流电流表; R:限流电阻器。 测量程序:调节电压源G，从零开始逐渐增加集电极—发射极间的电压到电压表V显示出规定的值(10V)，从电流表A读出集电极—发射极截止电流CESI。 3. 栅极—发射极漏电流的测试 在规定条件下，测量器件在集电极—发射极短路条件下栅极—发射极漏电流 GES I，原理图如图3所示。 电路说明和要求: G:可调直流电压表; Vl，V2:直流电压表; R:测量电阻器。 这时栅极一发射极漏电流为: /CESIVR?。 测量程序:调节电压源G，使栅极一发射极电压Vl到规定值(20V)。从V2读出V2， 则栅极一发射极漏电流为V2/R。 4. 集电极一发射极饱和电压的测试 在规定条件下，测量器件在集电极一发射极饱和电压()CEsatV，原理图如图6一5所示。 电路说明和要求: G1:可调直流电压表; G2:可调直流电压表; V1,V2:直流电压表; A:直流电流表; R:集电极负载电阻器; 测量程序:调节电压源Gl，使器件栅极一发射极间的电压达到规定值(15V)。调节电流源G2，使器件集电极电流到规定值(12A)。这时电压表V2读数即为所测得集电极-发射极饱和电压。 5. 集电极—发射极通态压降()CEONV测试 即指在额定集电极电流CI和额定G—E电压GEV下的集电极—发射极通态压降。该参数是IGBT应用中的重要参数，其大小直接决定通态损耗的大小。测试原理图见图5a。 6． 续流二极管的正向压降FMV测试 即指IGBT模块中与IGBT芯片反并的续流二极管的正向压降。该值与IGBT模块的关断特性紧密相关，若FMV小，则IGBT关断速度快，关断损耗会减小，但是关断时IGBT上的过冲电压尖峰较高；反之，则会造成关断损耗增大。其测试原理如图5b所示。 二、动态参数测试 1． 擎住电流LUT测试 IGBT结构为pnpn 4层结构，如果条件合适，它能像晶闸管一样擎住，此时IGBT的负载为阻性负载。通常情况下，集电极电压CCV为额定电压的60%，擎住电流为额定电流的两倍。LUT测试的时序图如图6所示。通常测试系统的电流保护值protI设定为额定电流的3．5—4倍。 2． 能耗测试 开关过程中元件内部的能量损耗非常重要。进行此项测试时，IGBT 负载为感性负载。总的开关损耗值由两部分组成：①开通损耗onE，其中包括与IGBT芯片反并续流二极管的反向恢复损耗；②关断损耗offE，包括电流拖尾部分的损耗。IGBT开关损耗波形如图7所示。 3. 反偏安全工作区(RBSOA)测试 该项测试主要用于考核IGBT模块关断时工作在最大电流和电压下的工作能力。此时，IGBT的负载为感性负载，其测试原理图和参考波形如图8a所示。 4．短路测试 该项测试是在一定的C