2aMOS电路可靠性精选.ppt

BERT模拟 再利用器件退化特征参数AGE计算器件电学退化量 两种方法 注意：AGE为应力时间的函数 建立器件参数与AGE的关系 实验拟合确定 Pi可以为Vt，Vdsat，Rd等参数 直接采用AGE来反映?ID的变化 BERT模拟 两种方法模拟结果 参数建模法的模拟结果 ?ID建模法的模拟结果 两种器件电学退化方法的比较 目前多采用?ID建模法 物理含义不直观 方便、和实验吻合好 ?ID建模法 参数很难提取 通用性差 物理意义直观 参数建模法 缺点 优点 · * 北京大学微电子研究院 * MOS电路可靠性 器件可靠性对电路的影响 －很少报道电路可靠性 －影响难以预测 －实验和表征非常困难 器件可靠性 电路可靠性 紧密相关 器件可靠性对电路的影响 －反相器 －逻辑电路 －SRAMS －RF电路 －硬击穿 －软击穿 －特性退化 器件可靠性 对电路的影响 硬击穿 定义参数 实验测量验证 x－源端，s＝0 x －漏端， s＝1 硬击穿 从栅到沟道出现通道 开状态电流增加2个数量级 关状态电流增加6个数量级 采用RG＝VG/IG表征栅通道 与击穿位置相关 栅沟道击穿等效电路 －VG 0，电子从源漏到栅 －VG 0，电子从栅通过衬底到达源漏 栅源击穿等效电路 硬击穿 栅漏击穿等效电路 软击穿 器件特性变化不大 －增加了关态漏电流 器件开态 －栅电流增大 －对薄t