6模拟集成电路(第6周)精选.ppt

不同器件噪声对比 1、JFET的噪声主要来源于沟道电阻热噪声； 2、MOSFET的1/f 噪声较严重，低频时MOSFET比JFET的噪声大； 3、一般，FET的噪声比BJT小； 4、碳膜电阻的1/f 噪声最大，绕线电阻的1/f 噪声最小； 成运放的噪声，是由组成运放内部电路的元器件产生的噪声源以及内部电路连接的噪声源累计的结果。一般是通过实验方法进行测量。 一、 放大电路中的噪声 2. 放大电路的噪声指标 （1）等效输入噪声电压/电流密度 （2）输出端信噪比 （3）噪声系数 2. 放大电路的噪声指标 定义 其中 AP 为功率增益 放大电路不仅把输入端的噪声进行放大，而且放大电路本身也存在噪声。所以，其输出端的信噪比必然小于输入端信噪比。 （3）噪声系数 一个无噪声放大电路的噪声系数是0dB，一个低噪声放大电路的噪声系数应小于3dB。 因为 当满足 Ri=Ro 时，NF可表示为另一种形式： 当NF用分贝（dB）表示时 3. 减小噪声的措施 硬件 选低噪声集成运放，如OP-27，AD745等； 采用滤波处理或引入负反馈以抑制噪声； 软件 转换为数字信号后，借助软件方法，对数据进行处理以减小噪声的影响。 二、放大电路中的干扰 3. 杂散电磁场干扰和抑制措施 1. 由直流电源电压波动引起的干扰和抑制 2. 由交流电源串入的干扰和抑制 4. 由接地点安排不正确