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集成电路制造原理 上海华虹NEC电子有限公司 发展简史 1956年 晶体管发明 1965年 集成电路诞生 1970年 易于集成和制造的 MOS晶体管面市 70年代 中小规模IC 80年代 MOS(超)大规模IC 90年代 1000万MOS晶体管的IC 1.3亿元件的DRAM 2000年 单片系统集成SOC (System On Chip) 硅 与 半导体 纯净的晶体硅：不导电 加入十亿分之一至万分之一杂质的硅可具有不同的导电能力 可使硅具有导电能力的杂质： 磷(P)、砷(As)提供负电荷(电子)导电----N型半导体 硼(B)提供正电荷(空穴)导电 ----P型半导体 集成电路的载体----硅圆片/Wafer: 直径8英寸(200mm) 厚约0.72mm PN 结 — 晶体管的基础 P型半导体和N型半导体紧密接触时，产生出一种独特的电学现象 ----单向导电(电子开关)： P型一侧电压高于N型一侧时，阻抗很小，电流可顺利流通并容易被控制； P型一侧电压低于N型一侧时，阻抗很大，电流几乎不能流通。 利用这种称之为PN结的特性，人们发明了各种晶体管。 集成电路 —晶体管的大集合 单个的晶体管至今仍在发挥不可缺少的作用。 将多个晶体管和一些电阻电容等元件集中制造在同一个硅圆片上，使之能完成一定的电子功能，这就是集成电路芯片。如今在 8英寸硅片上已可容纳数百个集成了数亿个元件的芯片，集成电路发展成为现代高科技产业的基础，被广泛应用于各行各业。 * * 点沙成金 ---- 集成电路创造奇迹 硅片 光刻技术原理 点沙成金 ---- 集成电路创造奇迹 光刻胶 由于某种需要，一些绝缘薄膜或金属薄膜被均匀地生成在硅片上 为了将具有特定几何形状的电极图案复制到硅片上，首先要涂布一层光刻胶 将含有数亿个电极图案的光刻版精确地定位在硅片上方。电极图案处是不透光的. 在能量受到精确控制的紫外光照射下，被光照部分的光刻胶发生光化学反应 光化学反应充分后，硅片被送去显影 激光照射过的胶被显影除去，光刻版上的电极图案成功地被转移到了硅片上 点沙成金 ---- 集成电路创造奇迹 光刻胶 硅片 刻蚀技术原理 在高真空的反应腔室内导入氟化物气体(SF6, CF4等)和一些惰性气体(氦、氩等) 在射频电场作用下，气体被离化，产生大量的离子、中性自由基和电子 离子在高电场作用下，以很高的能量碰撞衬地，将衬底材料逐步刻蚀除去 同时部分离子和中性自由基与衬底材料发生化学反应，对材料进行刻蚀 物理和化学的共同作用，将不需要的衬底材料刻蚀除去，留下需要的电极图案 离子注入(掺杂)原理 硅片 点沙成金 ---- 集成电路创造奇迹 离子注入前，一般要在硅片表面生成 300埃左右的热氧化保护薄膜。 通过特定的方法，用某种薄膜屏蔽住不需要掺杂的区域，阻挡离子注入 硼、磷、砷等被离化的离子在加速器作用下，以选定的能量和剂量被注入硅体内. 注入的杂质分布在一定的深度内，或改变硅的导电性，或形成晶体管的PN结 杂质 薄膜生长技术(1)---- 热氧化 硅片 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 O2 在800~1100℃高温下，在系统中通入纯净的氧气可在硅片表面生成二氧化硅薄膜。 氧气分子扩散到达硅片表面，与硅原子发生化学反应，生成二氧化硅(SiO2) 生成SiO2时需要消耗硅，因此氧化层是从硅片表面向硅片内外两个方向生长的 热氧化法生成的SiO2薄膜结构致密，绝缘性好，用于晶体管的电极和隔离介质 点沙成金 ---- 集成电路创造奇迹 薄膜生长技术(2)---- 化学气相淀积 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 N