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GaN器件 白桦林 物理与微电子科学学院 2012年12月 GaN器件专题报告 报告内容 GaN器件专题报告 GaN介绍 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗腐蚀能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有广阔的应用前景。 GaN器件专题报告 GaN材料结构 GaN器件专题报告 GaN材料具有两种晶体结构，分别为六方对称的纤锌矿结构(见图1（a）)和立方对称的闪锌矿结构（见图1（b））。通常条件下，GaN以六方对称性的纤锌矿结构存在，纤锌矿结构是由两套六方密堆积结构沿c轴方向平移5c/8套构而成，它的一个原胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在。闪锌矿结构则由两套面心立方密堆积结构沿对角线方向平移1/4对角线长度套构而成。这种现象在Ⅲ族氮化物材料中是普遍存在的,称为多型体现象(Polytypism)。 GaN器件专题报告 GaN材料性质 GaN是一种很稳定的化合物并且显示了很强的硬度，它的宽禁带、高饱和速度以及高的击穿电压有利于制造成为微波功率器件。GaN在高温下的化学稳定性再结合其硬度特性,使氮化镓被制成了一种具有吸引力的防护涂层材料，有利于制造高温器件。 化学特性 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCl或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。 GaN器件专题报告 结构特性 GaN器件专题报告 Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。 电学特性 GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。 未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。 室温下其电子迁移率可以达到900 cm2/V?s，从而使其非常适于制做高速器件。另外，GaN材料电击穿强度高、漏电流小，使其适于制作高压器件。 GaN器件专题报告 GaN材料的缺点与问题 在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。 现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意，例如位错密度达到了108~1010/cm2；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017/cm3，并呈现出n型导电；虽然容易实现n型掺杂，但p型掺杂水平太低（主要是掺Mg），所得空穴浓度只有1017~1018/cm3，迁移率＜10cm2/V.s，掺杂效率只有0.1%～1%。 从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，而制作微波功率器件的效果还往往要远优于现有的一切半导体材料。 GaN器件专题报告 报告内容 GaN器件专题报告 GaN器件的发展 1970年，Pankove制作的MIS型GaN蓝光LED。 1992年被誉为GaN产业应用鼻祖的美国ＳHuji Nakaｍura教授制造了第一支GaN发光二极管。 1993年，Khan等人首次制造了GaN MESFET 1993年制造出第一只GaN基HEMT 1997年 伊利诺斯大学：双施主GaN MOSFET，南卡罗来纳州立大学：SiC衬底上制造AlGaN/GaN异质结FET，GaN兰、绿发光和大功率射频源。 1998年，F.Ren等人制造出第一只GaN MOSFET。 GaN器件专题报告 1998年APA公司：高温高效紫外线探测器，300℃高温环境下有效工作且灵敏度高。日本：白色高能紫外发光管(LED),与荧光管相比，寿命为50～100倍，功耗只有1/2 。 1999年日本Ｎichia公司制造了第一支GaN蓝光激光器，该激光器的稳定性能相当于商用红光激光器。 2007年，YukiNiiyama等人报道了GaN MOSFET器件可以在250