全国200年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234.docVIP

全国2005年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为多少？ ( )。 A.3V B.6V C.9V D.15V 2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。 A.集电极—发射极反向饱和电流 B.集电极—基极反向饱和电流 C.集电极最大允许电流 D.集电极—发射极正向导通电流 3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。 A.Ｎ沟道耗尽型FET B.Ｎ沟道增强型FET C.Ｐ沟道耗尽型FET D.Ｐ沟道增强型FET 4.普通硅二极管的死区电压为( )。 A.0.1V B.0.2V C.0.5V D.1.0V 5.某三极管型号是３ＤＧ６，则根据该型号可知，该三极管是( )。 A.硅NPN型管 B.硅PNP型管 C.锗NPN型管 D.锗PNP型管 6.某三极