各项异性磁阻效应及磁场测量.docVIP

物 理 实 验 报 告 2014物理学专业 实验题目:_ 各项异性磁阻效应及磁场测量 姓 名: 柯 铭 沣 学 号:____135012014071___________ 日 期:__2015_年__9___月__28___日 实验 各向异性磁阻传感器及磁场测量 [实验目的] 1、掌握各向异性磁阻传感器的原理和特性； 2、掌握各向异性磁阻传感器测量磁场的基本原理和测量方法。 [实验仪器] 磁场测试仪，主要包括底座、转轴、带角刻度的转盘、磁阻传感器的引线、亥姆霍兹线圈、磁场测试仪控制主机(数字式电压表、5 V直流电源等)。 [实验原理] 1、各向异性磁阻传感器 一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化的规律称为磁阻效应。当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛伦兹力的作用而发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，使得沿电场方向的电流密度减小，电阻增大。（具体原理详见实验39“半导体材料的磁电阻效应研究”）。 各向异性磁阻传感器(Anisotropic Magneto-Resistive sensors, AMR) 是由沉积在硅片上的坡莫合金( Ni80Fe20) 薄膜形成的电阻，如图1所示。 除了具有磁阻效应，由于在沉积时外加磁场，AMR形成易磁化方向，即当外加磁场偏离合金的内部磁化方向时，材料电阻减小，这就是各向异性磁阻效应。AMR的电阻与材料所处环境磁化强度M 和电流I方向间的夹角有关，电流和磁化方向平行时电阻最大为Rmax，而电流与磁化方向垂直时电阻最小为Rmin，则电流和磁化方向成θ时, 电阻可表示为： (1) 图1磁阻传感器的构造示意图 图2磁阻传感器内部结构 为了消除温度等外界因素的影响，本实验所用的磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器，传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥，非平衡电桥输出部分接集成运算放大器，将信号放大输出，内部结构如图2所示。把该非平衡电桥放置在外界磁场时，由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同，引起电阻值变化有增有减各不相同。电桥的输出电压U可以用下式表示为： (2) 式中，Ub为电桥工作电压，R为未施加外磁场时的桥臂电阻，ΔR/R为磁阻材料在磁场作用下阻值的相对变化率。当Ub一定时, 磁阻传感器输出电压U与外界磁场的磁感应强度成正比关系： (3) 式中，K为传感器的灵敏度，B为外界磁场的磁感应强度，U0为外加磁场为零时该非平衡电桥的输出电压。因此，在实验过程中可以通过输出电压来测量AMR所处位置的磁场的磁感应强度。 需要注意的是，AMR只对磁敏感方向上的磁场敏感，当所测磁场与磁敏感方向有一定夹角时，AMR测量的是所测磁场在磁敏感方向的投影。 2、亥姆霍兹线圈 亥姆霍兹线圈是一对平行、 共轴排列的线圈，它们的尺寸、 匝数、 电流流向都相同，且两线圈之间的间距刚好等于线圈的半径, 见图3所示。根据毕奥萨伐尔定律, 可得轴线上任意一点的磁感应强度为： (4) 式中，N为线圈匝数，I为线圈流过的电流强度，R为亥姆霍兹线圈的平均半径，μ0为真空磁导率, x为该点与线圈中心的距离。 随着距离x变化的磁感应强度变化规律如图4所示。 图3 亥姆霍兹线圈装置图 图4亥姆霍兹线圈磁场分布示意图 [实验内容及要求] 1．仪器调整 (1)连接好仪器和电源, 开机预热。 (2)将磁阻传感器位置调至亥姆霍兹线圈中心，传感器敏感方向与亥姆霍兹线圈轴线一致。 (3)调节亥姆霍兹线圈电流为0mA，按复位键恢复AMR的使用特性。 (4)调节补偿电流，使传感器输出为0.000V。 (5)调节亥姆霍兹线圈电流为300 mA，调节放大器校准旋钮，使输出电压为1.500V。 2．磁阻传感器特性测量 (1)测量磁阻传感器的磁电转换特性 把AMR放置在亥姆霍兹线圈中心，并使得AMR的磁敏感方向与线圈的轴向一致。 通过电流换向开关，改变亥姆霍兹线圈电流，从300 mA逐步减