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  • 2016-12-08 发布于重庆
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MOS逻辑集成电路 Chapter 1 导论 1-1 MOSFET 这一节主要对MOSFET作一简要复习。MOSFET是一种表面场效应器件,是靠多数载流子传输电流的单极器件。 一、MOSFET的基本结构: 二、MOSFET的基本类型 电学符号 转移特性 输出特性 三、MOSFET的电流方程 ①饱和区 IDS=±k(VGS-VT)2 条件:NMOS:VDSVGS-VT PMOS:VDSVGS-VT 即:VDS 大→饱和 VDS再增加,IDS也不变 ②非饱和区: VDS 小→非饱和 IDS=±k[2(VGS-VT)VDS-VDS2] 条件:NMOS:VDSVGS-VT PMOS:VDSVGS-VT 1-2 MOS IC的主要特点 一、 MOSFET的主要特点 1、MOSFET是电压控制元件--功耗小 2、MOSFET之间自然隔离--工艺更简单,面积可以做得更小 3、

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