05非平衡载流子.pptVIP

对n型半导体： 1、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et Et’ EF Ei EF - Ec Ev - EF 、Et - Ec 、Ev - Et n0p0 、n1 、p1 强n性区 2、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et Et’ EF Ei Ev - Et EF – Ec、 Ev - EF 、Et - Ec p1 n0 、 p0 、n1 高阻区 对p型半导体： 1、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et’ Et EF Ei Ev - EF EF - Ec 、Et - Ec 、Ev - Et p0n0 、n1 、p1 强p性区 2、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et’ Et EF Ei Et - Ec EF – Ec、 Ev - EF 、 Ev - Et n1n0 、 p0 、 p1 高阻区 将 代入 得到： 可以假定： 那么， 上式简化为 ch(x)=(ex+e-x)/2是双曲余弦函数，是关于y轴对称的偶函数，在x=0处取得最小值为1。 可见，在Et=Ei时，U能够取得最大值，也即Et向Ei靠近时， U逐渐增大。因此，位于禁带中央附近