12半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

颗粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10。（就是说直径为0.03微米的颗粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形）否则会造成器件功能的致命伤害。 颗粒引起的缺陷 缺陷、位错能级 缺陷对材料性能有重要的影响 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列 实际晶体：存在各种各样的结构不完整性 形成原因：1、热缺陷（晶格位置缺陷) 2、杂质缺陷(组成缺陷 ） （1）弗伦克尔缺陷（Frenkel） 原子进入晶格的间隙位置，空位和间隙原子同时出 现，晶体体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产 生密度变化。 1、热缺陷（晶格位置缺陷) 特点：空位与间隙粒子成对出现，数量相等，晶体体积不发生变化。 缺陷、位错能级 （2）肖特基缺陷（Schottky） 表面层原子获得较大能量，离开原来格点位跑到表面外新的格点位，原来位置形成空位这样晶格深处的原子就依次填入，结果表面上的空位逐渐转移到内部去。特点：晶体表面增加了新的原子层，晶体内部只有空位缺陷。晶体体积膨胀，密度下降。 1、热缺陷（晶格位置缺陷) 缺陷、位错能级 2、杂质缺陷(组成缺陷 ） 外来原子进入主晶格产生的缺陷。在原晶体结构中进入了杂质原子，它与固有原子性质不同，破坏了原子排列的周期性，杂质原子在晶体中占据两种位置： （2） 替位式杂质 （1） 间隙式杂质 缺陷、位错能级 点缺陷和位错 点缺陷：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。是处于原子大小数量级上的缺陷　 线缺陷（位错)：缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷。这种线缺陷又称位错。 缺陷、位错能级 总结与复习 施主杂质、施主能级 受主杂质、受主能级 如何用能带理论解释什么是施主杂质、施主杂质 杂质的补偿作用 深能级杂质 * * LOGO LOGO 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构。 晶体中无杂质，无缺陷。 电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子。 杂质：与组成半导体材料元素不同的其它化学元素。如硅中掺磷、掺硼等。 杂质半导体：掺杂后的半导体。掺杂后半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 杂质来源： a 有意掺入 b 污染 本征半导体：晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 缺陷：实际半导体晶格结构不是完整无缺的，存在各种形式的缺陷。 缺陷可分为三类： （１）点缺陷（空位、间隙原子等）； （２）线缺陷（位错等）； （３）面缺陷（层错、多晶体中的晶粒 间界等）． 引入杂质和缺陷的意义 半导体材料独特的性质，取决于杂质影响．极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的理化性质产生决定性的影响（半导体器件的质量）． 可通过适当掺杂制造形形色色的器件 半导体中的杂质和缺陷起什么样作用？ 为什么会起这样的作用？ 　　 　杂质和缺陷的存在，所产生的附加势场使严格的周期性势场受到破坏，可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态(即能级) ． 　　 　　　 　　 EC EV 杂质能级 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si 间隙式 替位式：占据正常 的格点位置 根据杂质在半导体中位置不同，可分为： 替位式杂质和间隙式杂质(interstitial) EC EV 杂质能级 Eg Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si 间隙式 替位式 替位式杂质较大，而间隙式杂质较小 杂质浓度：描述杂质的含量多少 1/cm3 引入的杂质能级位于禁带中 形成替位式杂质，对替位杂质原子的要求： 大小与被取代的晶格原子的大小比较相近，价电壳层结构比较相近． 如：Ｇｅ、Ｓｉ是IV族元素，与III、V族元素相近．所以III、V族元素在硅、锗晶体中都是替位杂质。 施主杂质、施主能级 一、施主杂质： 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易