《微电子学概论》-ch2_PN结双极晶体管.pptVIP

半导体器件物理基础 金属－半导体接触 1874年开始，开创了半导体器件研究的先河 整流接触(轻掺杂)：电流单方向流过（栅极） 欧姆接触(重掺杂):电流双向通过，落在接触上的电压很小（漏极和源极?金属半导体场效应晶体管MESFET） p-n结 由p型（带正电的载流子）与n型（带负电的载流子）半导体接触而成 大部分半导体器件的基础结构，其理论是半导体物理的基础 p-n-p双极型晶体管（1947年发明） 异质结 由两种不同材料的半导体接触形成的结（如砷化镓与砷化铝形成异质结） 是高速器件与光电器件的关键构成要素 MOS结构 可以视为金属－氧化物界面和氧化物－半导体界面的结合 用MOS结构作栅极，两个p-n结作漏极与源极，制作出金氧半场效应晶体管MOSFET 双极晶体管 双极晶体管（BJT）的基本结构 工作原理：电流输运特性 基本特性 直流特性 频率特性 双极晶体管的特点 目前BJT的结构 双极晶体管 双极晶体管（BJT）的基本结构 工作原理：电流输运特性 基本特性 直流特性 频率特性 双极晶体管的特点 目前BJT的结构 双极晶体管 双极晶体管（BJT）的基本结构 工作原理：电流输运特性 基本特性 直流特性 频率特性 双极晶体管的特点 目前BJT的结构 双极晶体管 双极晶体管（BJT）的基本结构 工作原理：电流输运特性 基本特性 直流特性 频率特性 双极晶体管的特点